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光刻工藝主要性一
光刻膠不僅具有純度要求高、工藝復(fù)雜等特征,還需要相應(yīng)光刻機(jī)與之配對(duì)調(diào)試。一般情況下,一個(gè)芯片在制造過程中需要進(jìn)行10~50道光刻過程,由于基板不同、分辨率要求不同、蝕刻方式不同等,不同的光刻過程對(duì)光刻膠的具體要求也不一樣,NR75 1000HP光刻膠多少錢,即使類似的光刻過程,NR75 1000HP光刻膠,不同的廠商也會(huì)有不同的要求。
針對(duì)不同應(yīng)用需求,光刻膠的品種非常多,這些差異主要通過調(diào)整光刻膠的配方來實(shí)現(xiàn)。因此,通過調(diào)整光刻膠的配方,滿足差異化的應(yīng)用需求,是光刻膠制造商的技術(shù)。
此外,由于光刻加工分辨率直接關(guān)系到芯片特征尺寸大小,而光刻膠的性能關(guān)系到光刻分辨率的大小。限制光刻分辨率的是光的干涉和衍射效應(yīng)。光刻分辨率與曝光波長、數(shù)值孔徑和工藝系數(shù)相關(guān)。
NR9-3000PY 相對(duì)于其他光刻膠具有如下優(yōu)勢(shì):
- 優(yōu)異的分辨率性能
- 快速地顯影
- 可以通過調(diào)節(jié)曝光能量很容易地調(diào)節(jié)倒梯形側(cè)壁的角度
- 耐受溫度100℃
- 室溫儲(chǔ)存保質(zhì)期長達(dá)3 年
NR9-1000PY 0.7μm - 2.1μm
NR9-1500PY 1.1μm - 3.1μm
NR9-3000PY 2.1μm - 6.3μm
NR9-6000PY 5.0μm -
12.2μm
Resist Thickness
NR71-1000PY 0.7μm - 2.1μm
NR71-1500PY 1.1μm - 3.1μm
NR71-3000PY 2.1μm - 6.3μm
NR71-6000PY 5.0μm - 12.2μm
政策扶持
為促進(jìn)我國光刻膠產(chǎn)業(yè)的發(fā)展,國家02重大專項(xiàng)給予了大力支持。今年5月,02重大專項(xiàng)實(shí)施管理辦公室組織任務(wù)驗(yàn)收組、財(cái)務(wù)驗(yàn)收組通過了“極紫外光刻膠材料與實(shí)驗(yàn)室檢測(cè)技術(shù)研究”項(xiàng)目的任務(wù)驗(yàn)收和財(cái)務(wù)驗(yàn)收。
據(jù)悉,NR75 1000HP光刻膠哪里有,經(jīng)過項(xiàng)目組全體成員的努力攻關(guān),完成了EUV光刻膠關(guān)鍵材料的設(shè)計(jì)、制備和合成工藝研究、配方組成和光刻膠制備、實(shí)驗(yàn)室光刻膠性能的初步評(píng)價(jià)裝備的研發(fā),達(dá)到了任務(wù)書中規(guī)定的材料和裝備的考核指標(biāo)。項(xiàng)目共申請(qǐng)發(fā)明15項(xiàng)(包括國際5項(xiàng)),截止到目前,共獲得授權(quán)10項(xiàng)(包括國際授權(quán)3項(xiàng))。
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