抗干擾性電力電容器去耦——板間去耦

板間去耦電容就是指開關(guān)電源面和接路面中間的電容器，關(guān)鍵處理開關(guān)電源中造成的高頻率瞬變電流量。開關(guān)電源鍵入端接地一個10～100uF的電解電容器，假如pcb電路板的部位容許，選用100uF之上的電解電容器的抗干擾性實(shí)際效果會更好。去耦電容的導(dǎo)線不可以太長，一般都緊靠在集成電路芯片開關(guān)電源周圍，聯(lián)線要粗一些。

電容種類復(fù)雜，但不管再如何歸類，其基本概念全是運(yùn)用電容器對交替變化數(shù)據(jù)信號呈低阻情況。電流的磁場的頻率f越高，電容器的特性阻抗就越低。旁路電容起的關(guān)鍵功效是給溝通交流數(shù)據(jù)信號出示低特性阻抗的通道;去耦電容的關(guān)鍵作用是出示一個部分的直流穩(wěn)壓電源給有源器件，以降低電源開關(guān)噪音在板上的散播和將噪音正確引導(dǎo)到地，添加去耦電容后工作電壓的諧波失真影響會顯著減少;耦合電容常見于低通濾波器中。

MKP電容器的標(biāo)稱額定電壓為250 / 275VAC（x2），但其直流耐受電壓必須達(dá)到2000V，而CBB電容器的耐受電壓標(biāo)準(zhǔn)僅為額定電壓的1.6倍。

 電容器的絕熱性能：MKP和CBB電容器使用聚丙烯薄膜電介質(zhì)，因此損耗小且發(fā)熱小。 在實(shí)際應(yīng)用電路中，溫升不應(yīng)比環(huán)境溫度高6°C。 在實(shí)際測試中，許多電路板的溫度上升在4°C以內(nèi)。 如果溫度高于此條件，則表明電容器具有較大的工作功率，并且兩種類型的電容器更有可能發(fā)生故障。

 應(yīng)用模式和目的：CBB22的運(yùn)行成本低于MKP，并且在滿足實(shí)際直流耐壓的條件下可以替代MKP的電氣性能。  MKP電容器主要用于EMI輸入線路濾波，而CBB電容器主要用于振蕩，耦合和電阻電容電路。  CBB的成本低于MKP，并且在滿足實(shí)際DC耐壓的同時，在電氣性能方面可以替代MKP。

薄膜電容基本介紹

薄膜電容器是以金屬箔當(dāng)電極，將其和聚乙酯，聚丙烯，聚苯l乙烯或聚碳酸酯等塑料薄膜，從兩端重疊后，卷繞成圓筒狀的構(gòu)造之電容器。而依塑料薄膜的種類又被分別稱為聚乙酯電容(又稱Mylar電容)，聚丙烯電容(又稱PP電容)，聚苯l乙l烯電容(又稱PS電容)和聚碳酸酯電容。

2.基本參數(shù)

(1)額定直流電壓：是在整個溫度范圍內(nèi)允許持續(xù)施加的直流電壓。

(2)介電強(qiáng)度：電容器的介質(zhì)所能承受的電壓，這個電壓高于試驗(yàn)電壓。

(3)額定交流電壓：電容器工作在交流電壓下可以連續(xù)施加的交流電壓有效值。

(4)試驗(yàn)電壓：電容器出廠前形式試驗(yàn)時對電容器施加的電壓，一般在1.5~2倍，持續(xù)時間2分鐘或500小時。

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