光刻的工序

下面我們來詳細介紹一下光刻的工序：

一、清洗硅片（Wafer Clean）

清洗硅片的目的是去除污染物去除顆粒、減少其它缺陷，提高光刻膠黏附性

基本步驟：化學清洗——漂洗——烘干。

自1970年美國RCA實驗室提出的浸泡式RCA化學清洗工藝得到了廣泛應(yīng)用，1978年RCA實驗室又推出兆聲清洗工藝，RR5光刻膠哪里有，近幾年來以RCA清洗理論為基礎(chǔ)的各種清洗技術(shù)不斷被開發(fā)出來，RR5光刻膠哪家好，例如：美國FSI公司推出離心噴淋式化學清洗技術(shù)、美國原CFM公司推出的Full-Flow systems封閉式溢流型清洗技術(shù)、美國VERTEQ公司推出的介于浸泡與封閉式之間的化學清洗技術(shù)（例Goldfinger Mach2清洗系統(tǒng)）、美國SSEC公司的雙面檫洗技術(shù)（例M3304 DSS清洗系統(tǒng)）、 日本提出無藥液的電介離子水清洗技術(shù)（用電介超純離子水清洗）使拋光片表面潔凈技術(shù)達到了新的水平、以HF / O3為基礎(chǔ)的硅片化學清洗技術(shù)。

光刻膠

PCB

光刻膠

主要分為干膜光刻膠、濕膜光刻膠（又稱為抗蝕刻/線路油墨）、光成像阻焊油墨等。PCB 光刻膠技術(shù)壁壘相對較低，RR5光刻膠價格，主要是中低端產(chǎn)品。

LCD

光刻膠

包含彩色濾光片用彩色光刻膠及黑色光刻膠、LCD 觸摸屏用光刻膠、TFT-LCD 正性光刻膠等產(chǎn)品。

彩色濾光片是LCD

實現(xiàn)彩色顯示的關(guān)鍵器件，占面板成本的14%~16%；在彩色濾光片中，彩色光刻膠和黑色光刻膠是材料，占其成本的27%左右，其中黑色光刻膠占彩色濾光片材料成本的6%~8%。

半導體光刻膠

包括g 線光刻膠、i 線光刻膠、KrF 光刻膠、ArF 光刻膠、聚酰YA光刻膠、掩膜板光刻膠等。

光刻膠工藝

普通的光刻膠在成像過程中，由于存在一定的衍射、反射和散射，RR5光刻膠，降低了光刻膠圖形的對比度，從而降低了圖形的分辨率。隨著曝光加工特征尺寸的縮小，入射光的反射和散射對提高圖形分辨率的影響也越來越大。為了提高曝光系統(tǒng)分辨率的性能，F(xiàn)uturrex 的光刻膠正在研究在曝光光刻膠的表面覆蓋抗反射涂層的新型光刻膠技術(shù)。該技術(shù)的引入，可明顯減小光刻膠表面對入射光的反射和散射，從而改善光刻膠的分辨率性能，但由此將引起工藝復雜性和光刻成本的增加。

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