其中：Vcc 試驗(yàn)電壓源±VGG 柵極電壓C1 箝位電容Q1 陪測器件（實(shí)際起作用的是器件中的續(xù)流二極管）L 負(fù)載電感 ：100uH、200uH、500uH、1000uH自動切換IC 集電極電流取樣電流傳感器DUT 被測器件關(guān)斷時(shí)間采用單脈沖測試，由計(jì)算機(jī)設(shè)定并控制輸出集電極電壓VCC值到被測器件的測試要求值（一般為被測器件額定電壓的1/2），設(shè)定±VGG到測試要求值，開關(guān)被測器件DUT一次，被測器件的開沖持續(xù)時(shí)間必須保證DUT完全飽和，便攜式IGBT測試儀批發(fā)，同時(shí)監(jiān)測集電極電流IC、柵極-發(fā)射極電壓VGE和集電極-發(fā)射極電壓VCE，便攜式IGBT測試儀加工，記錄下被測器件IC、VCE以及VGE的波形，其中，VCE采樣到示波器的CH1通道，IC取樣到示波器的CH2通道，VGE采樣到示波器的CH3通道，便攜式IGBT測試儀，示波器通過光通訊方式將測試波形傳輸給計(jì)算機(jī)，便攜式IGBT測試儀現(xiàn)貨供應(yīng)，由計(jì)算機(jī)對測試波形進(jìn)行分析與計(jì)算，后顯示測試結(jié)果。等領(lǐng)域，使半導(dǎo)體開發(fā)技術(shù)人員在市場需求下，對大功率元件的發(fā)展技術(shù)，持續(xù)在突破。

14）工控機(jī)及操作系統(tǒng)

用于控制及數(shù)據(jù)處理，采用定制化系統(tǒng)，主要技術(shù)參數(shù)要求如下：

?機(jī)箱：4Μ 15槽上架式機(jī)箱；

?支持ATX母板；

?CPΜ：INTEL雙核；

?主板：研華SIMB；

?硬盤：1TB；內(nèi)存4G；

?3個5.25”和1個3.5”外部驅(qū)動器；

?集成VGA顯示接口、4個PCI接口、6個串口、6個ΜSB接口等。

?西門子PLC邏輯控制

15）數(shù)據(jù)采集與處理單元

用于數(shù)據(jù)采集及數(shù)據(jù)處理，主要技術(shù)參數(shù)要求如下：

?示波器;高壓探頭：滿足表格4-11動態(tài)參數(shù)、短路電流、安全工作區(qū)測試需求

?電流探頭：滿足表格4-11動態(tài)參數(shù)、短路電流、安全工作區(qū)測試需求

?狀態(tài)監(jiān)測：NI數(shù)據(jù)采集卡

?上位機(jī)：基于Labview人機(jī)界面

?數(shù)據(jù)提?。簻y試數(shù)據(jù)可存儲為Excel文件及其他用戶需要的任何數(shù)據(jù)格式，特別是動態(tài)測試波形可存儲為數(shù)據(jù)格式；所檢測數(shù)據(jù)可傳遞至上位機(jī)處理；從檢測部分傳輸?shù)臄?shù)據(jù)經(jīng)上位機(jī)處理后可自動列表顯示相應(yīng)測試數(shù)據(jù)；?數(shù)據(jù)處理和狀態(tài)檢測部分內(nèi)容可擴(kuò)展

什么是大功率半導(dǎo)體元件？其用途為何？

凡是半導(dǎo)體元件如金屬氧化場效晶體管(MOSFET)、IGBT(INSULATED GATE B.TRANSISTOR)及TRIAC（可控硅）、SCR（晶閘管）、 GTO等各型閘流體與二極管(DI ODE)等，其工作電流與電壓乘積若大于1KW以上，均可屬于大功率的范圍。如下圖片所示。此類元件多用于車船，工廠的動力，光電及其他能源的轉(zhuǎn)換上。1V -30V～30VQg柵極電荷 400~20000nC Ig:0～50A±3%±0。

華科靜態(tài)參數(shù)IGBT-便攜式IGBT測試儀加工由深圳市華科智源科技有限公司提供。深圳市華科智源科技有限公司位于深圳市寶安區(qū)西鄉(xiāng)街道智匯創(chuàng)新中心B座606。在市場經(jīng)濟(jì)的浪潮中拼博和發(fā)展，目前華科智源在電子測量儀器中享有良好的聲譽(yù)。華科智源取得全網(wǎng)商盟認(rèn)證，標(biāo)志著我們的服務(wù)和管理水平達(dá)到了一個新的高度。華科智源全體員工愿與各界有識之士共同發(fā)展，共創(chuàng)美好未來。從檢測部分傳輸?shù)臄?shù)據(jù)經(jīng)上位機(jī)處理后可自動列表顯示相應(yīng)測試數(shù)據(jù)。