3.3主要技術(shù)要求

3.3.1 動態(tài)參數(shù)測試單元技術(shù)要求

3.3.1.1 環(huán)境條件

1)海拔高度：海拔不超過1000m；

2)溫度：儲存環(huán)境溫度 -20℃～60℃；

3)工作環(huán)境溫度： -5℃～40℃；

4)濕度：20%RH 至 90%RH (無凝露，大功率IGBT測試儀廠家，濕球溫度計溫度: 40℃以下)；

5)震動：抗能力按7級設(shè)防，地面抗震動能力≤0.5g；

6)防護：無較大灰塵，腐蝕或性氣體，導電粉塵等空氣污染的損害；

如何檢測元件有老化的現(xiàn)象？半導體元件有許多參數(shù)都很重要，有些參數(shù)如：放大倍率，觸發(fā)參數(shù)，閂扣，保持參數(shù)，崩潰電壓等，大功率IGBT測試儀現(xiàn)貨供應，是提供給工程師在設(shè)計電路時的依據(jù)，在檢測元件是否有老化的現(xiàn)象時，僅須測量導通參數(shù)及漏電流二項即可。將量測的數(shù)據(jù)與其出廠規(guī)格相比較，大功率IGBT測試儀加工，就可判定元件的好壞或退化的百分比。IGBT靜態(tài)參數(shù)測試部分主要材料技術(shù)要求 1）閾值電壓測試電路 閾值電壓測試電路（僅示出IEC標準測試電路） 。何謂半導體元件的參數(shù)？對元件使用上有何重要性？ 中大功率的元件僅在功能上的完好是不夠的，大功率IGBT測試儀，因其必須承受規(guī)格上的電壓與電流，在某條件下，承受度的數(shù)據(jù)便稱為此元件的參數(shù)。若元件的工作條件超過其參數(shù)數(shù)據(jù)，元件可能會立刻燒毀或造成性的損壞。

1）可調(diào)充電電壓源

用來給電容器充電，實現(xiàn)連續(xù)可調(diào)的直流母線電壓，滿足動態(tài)測試、短路電流的測試需求。

?輸入電壓380V±10%

?頻率50HZ；

?輸出電壓500～1500V可調(diào)（可多個電源組成）

?輸出電流10A；

?電壓控制精度1%

?電壓調(diào)整率<0.1%；

?紋波電壓<1%；

?工作溫度室溫～40℃；

?保護有過壓、過流、短路保護功能。

大功率IGBT測試儀-華科便攜式測試臺由深圳市華科智源科技有限公司提供。1~1ms可設(shè)定 4）柵極漏電流測試電路柵極漏電流測試電路 。深圳市華科智源科技有限公司擁有很好的服務與產(chǎn)品，不斷地受到新老用戶及業(yè)內(nèi)人士的肯定和信任。我們公司是商盟認證會員，點擊頁面的商盟客服圖標，可以直接與我們客服人員對話，愿我們今后的合作愉快！