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什么是大功率半導(dǎo)體元件?其用途為何?
凡是半導(dǎo)體元件如金屬氧化場(chǎng)效晶體管(MOSFET)、IGBT(INSULATED GATE B.TRANSISTOR)及TRIAC(可控硅)、SCR(晶閘管)、 GTO等各型閘流體與二極管(DI ODE)等,便攜式IGBT測(cè)試儀,其工作電流與電壓乘積若大于1KW以上,便攜式IGBT測(cè)試儀價(jià)格,均可屬于大功率的范圍。如下圖片所示。半導(dǎo)體元件有許多參數(shù)都很重要,有些參數(shù)如:放大倍率,觸發(fā)參數(shù),閂扣,保持參數(shù),崩潰電壓等,是提供給工程師在設(shè)計(jì)電路時(shí)的依據(jù),在檢測(cè)元件是否有老化的現(xiàn)象時(shí),僅須測(cè)量導(dǎo)通參數(shù)及漏電流二項(xiàng)即可。此類元件多用于車船,工廠的動(dòng)力,便攜式IGBT測(cè)試儀廠家,光電及其他能源的轉(zhuǎn)換上。
華科智源IGBT測(cè)試儀針對(duì) IGBT 的各種靜態(tài)參數(shù)而研制的智能測(cè)試系統(tǒng);6雙電流脈沖的設(shè)置:Vcc,Ic,電感值,間隙時(shí)間(10到50us)(脈寬自動(dòng)計(jì)算)。自動(dòng)化程度高(按照操作人員設(shè)定的程序自動(dòng)工作),便攜式IGBT測(cè)試儀加工,計(jì)算機(jī)可以記錄測(cè)試結(jié)果,測(cè)試結(jié)果可轉(zhuǎn)化為文本格式存儲(chǔ),測(cè)試方法靈活(可測(cè)試器件以及單個(gè)單元和多單元的模塊測(cè)試),安全穩(wěn)定(對(duì)設(shè)備的工作狀態(tài)進(jìn)行全程實(shí)時(shí)監(jiān)控并與硬件進(jìn)行互鎖),具有安全保護(hù)功能,測(cè)試速度方便快捷。
技術(shù)要求
3.1整體技術(shù)指標(biāo)
3.1.1 功能與測(cè)試對(duì)象
*1)功能
GBT模塊動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試。
*2)測(cè)試對(duì)象
被測(cè)器件IGBT模塊動(dòng)態(tài)參數(shù)。測(cè)試溫度范圍 Tj=25°及125°。
3.1.2 IGBT模塊動(dòng)態(tài)測(cè)試參數(shù)及指標(biāo)
測(cè)試單元對(duì)IGBT模塊和FRD的動(dòng)態(tài)參數(shù)及其他參數(shù)的定義滿足IEC60747-9以及IEC60747-2。
以下參數(shù)的測(cè)試可以在不同的電壓等級(jí)、電流等級(jí)、溫度、機(jī)械壓力、回路寄生電感以及不同的驅(qū)動(dòng)回路參數(shù)下進(jìn)行。
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