現(xiàn)今Power MOSFET(金屬氧化物場效晶體管)及IGBT（絕緣柵型場效應晶體管）已成為大功率元件的主流，在市場上居于主導地位。由于科技進步，電力電子裝置對輕薄短小及之要求 ，帶動MOSFET及IGBT的發(fā)展，尤其應用于電氣設備、光電、航天、鐵路、電力轉換....等領域，使半導體開發(fā)技術人員在市場需求下，對大功率元件的發(fā)展技術，便攜式IGBT測試儀價格，持續(xù)在突破?，F(xiàn)代新型IGBT大功率器件的全參數(shù)進行智能化測試測試、篩選、分析，以確保出廠產品的穩(wěn)定性、可靠性。

用于安裝固定試驗回路及單元；主要技術參數(shù)要求如下；

?風冷系統(tǒng)；

?可顯示主要電氣回路參數(shù)及傳感器測量值；

?可直觀監(jiān)視試驗過程，便攜式IGBT測試儀加工，并可兼容高溫攝像頭；

?防護等級：IP40。

?面板按鈕可以進行緊急操作

?機柜顏色：RAL7035

17）壓接夾具及其配套系統(tǒng)

?工作壓力范圍：5～200kN；分辨率0.1kN

?上下極板不平行度小于20μm

?極板平整度小于10μm

?壓力可連續(xù)調節(jié)，施加壓力平穩(wěn)，不可出現(xiàn)加壓時壓力過沖

?安全技術要求：滿足GB 19517—2009國家電氣設備安全技術規(guī)范；

?測試工作電壓：10kV（整體設備滿足GB 19517—2009標準外，便攜式IGBT測試儀，局部絕緣電壓應滿足測試需求）

18）其他輔件

測試的IGBT參數(shù)包括：ICES（漏流）、BVCES（耐壓）、IGESF（正向門極漏流）、IGESR（反向門極漏流）、VGETH（門檻電壓／閾值）、VGEON（通態(tài)門極電壓）、VCESAT（飽和壓降）、ICON（通態(tài)集極漏流）、VF（二極管壓降）、GFS（跨導）、rCE（導通電阻）等全直流參數(shù)， 所有小電流指標保證1%重復測試精度， 大電流指標保證2%以內重復測試精度。200~1000±2%±5ns tr、tf上升/下降時間 10～1000ns 10~200±2%±2ns。

半導體元件全自動測試系統(tǒng)，可以元件在真正工作狀態(tài)下的電流及電壓，便攜式IGBT測試儀批發(fā)，并測量重要參數(shù)的數(shù)據，再與原出廠指標比較，由此來判定元件的好壞或退化的百分比。每個電流模塊，都具有獨立的供電系統(tǒng)，以便在測試時，提供內部電路及電池組充電之用； 可選購外部高壓模塊，執(zhí)行關閉狀態(tài)參數(shù)測試如：各項崩潰電壓與漏電流測量達2KV。1有完備的安全控制單元，動態(tài)測試設備有傳感器來保證操作者安全，設備任何門被打開均能快速切斷高壓電源。

便攜式IGBT測試儀價格-華科風力發(fā)電IGBT由深圳市華科智源科技有限公司提供。深圳市華科智源科技有限公司是一家從事“IGBT測試儀,功率器件測試儀,首件檢測儀”的公司。半導體元件有許多參數(shù)都很重要，有些參數(shù)如：放大倍率，觸發(fā)參數(shù)，閂扣，保持參數(shù)，崩潰電壓等，是提供給工程師在設計電路時的依據，在檢測元件是否有老化的現(xiàn)象時，僅須測量導通參數(shù)及漏電流二項即可。自成立以來，我們堅持以“誠信為本，穩(wěn)健經營”的方針，勇于參與市場的良性競爭，使“華科智源,HUSTEC,”品牌擁有良好口碑。我們堅持“服務至上，用戶至上”的原則，使華科智源在電子測量儀器中贏得了客戶的信任，樹立了良好的企業(yè)形象。 特別說明：本信息的圖片和資料僅供參考，歡迎聯(lián)系我們索取準確的資料，謝謝！