表格12動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試部分組成

序號(hào)組成部分單位數(shù)量

1可調(diào)充電電源套1

2直流電容器個(gè)8

3動(dòng)態(tài)測(cè)試負(fù)載電感套1

4安全工作區(qū)測(cè)試負(fù)載電感套1

5補(bǔ)充充電回路限流電感L個(gè)1

6短路保護(hù)放電回路套1

7正常放電回路套1

8高壓大功率開(kāi)關(guān)個(gè)5

9尖峰抑制電容個(gè)1

10主回路正向?qū)ňчl管個(gè)2

11動(dòng)態(tài)測(cè)試?yán)m(xù)流二極管個(gè)2

12安全工作區(qū)測(cè)試?yán)m(xù)流二極管個(gè)3

13被測(cè)器件旁路開(kāi)關(guān)個(gè)1

14工控機(jī)及操作系統(tǒng)套1

15數(shù)據(jù)采集與處理單元套1

16機(jī)柜及其面板套1

17壓接夾具及其配套系統(tǒng)套1

18加熱裝置套1

19其他輔件套1

IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試部分主要材料技術(shù)要求1）閾值電壓測(cè)試電路閾值電壓測(cè)試電路（僅示出IEC標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試電路）?滿足表格9測(cè)試參數(shù)要求?低壓開(kāi)關(guān)電源要求：Vcc=12V (針對(duì)上圖電路)?可調(diào)電源：0.1～10V±1%±0.01V；分辨率0.01V?集電極電流測(cè)試電路精度：10～50mA±1%±0.5mA；50～200mA±1%±1mA；200～1000mA±1%±2mA；1000～2000mA±1%±5mA；2）集射極截止電壓/集射極截止電流測(cè)試電路集射極截止電壓/發(fā)射極截止電流測(cè)試電路?高壓充電電源：10~2kV連續(xù)可調(diào)?支撐電容：額定電壓2kV?集電極電流ICES：0.01～1mA±3%±0.001mA；4驗(yàn)收和測(cè)試 3)驗(yàn)收試驗(yàn)應(yīng)在-10～40℃環(huán)境溫度下進(jìn)行，驗(yàn)收完成后測(cè)試平臺(tái)及外部組件和裝置均應(yīng)安裝在買方的位置上。1～10mA±2%±0.01mA；10～30mA±1%±0.1mA；30～300mA±1%±0.1mA?集電極電壓VCES：200～1500V±2%±1V

測(cè)試的IGBT參數(shù)包括：ICES（漏流）、BVCES（耐壓）、IGESF（正向門極漏流）、IGESR（反向門極漏流）、VGETH（門檻電壓／閾值）、VGEON（通態(tài)門極電壓）、VCESAT（飽和壓降）、ICON（通態(tài)集極漏流）、VF（二極管壓降）、GFS（跨導(dǎo)）、rCE（導(dǎo)通電阻）等全直流參數(shù)， 所有小電流指標(biāo)保證1%重復(fù)測(cè)試精度，檢修用IGBT測(cè)試儀價(jià)格， 大電流指標(biāo)保證2%以內(nèi)重復(fù)測(cè)試精度。1電壓源：220VAC±10%，50Hz/60Hz20ARMS。

半導(dǎo)體元件全自動(dòng)測(cè)試系統(tǒng)，檢修用IGBT測(cè)試儀廠家，可以元件在真正工作狀態(tài)下的電流及電壓，并測(cè)量重要參數(shù)的數(shù)據(jù)，檢修用IGBT測(cè)試儀，再與原出廠指標(biāo)比較，由此來(lái)判定元件的好壞或退化的百分比。每個(gè)電流模塊，都具有獨(dú)立的供電系統(tǒng)，以便在測(cè)試時(shí)，提供內(nèi)部電路及電池組充電之用； 可選購(gòu)?fù)獠扛邏耗K，執(zhí)行關(guān)閉狀態(tài)參數(shù)測(cè)試如：各項(xiàng)崩潰電壓與漏電流測(cè)量達(dá)2KV。從檢測(cè)部分傳輸?shù)臄?shù)據(jù)經(jīng)上位機(jī)處理后可自動(dòng)列表顯示相應(yīng)測(cè)試數(shù)據(jù)。

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