欲測知元件老化，變頻器用IGBT測試儀，所須提供的測量范圍為何？當大功率元件在作導通參數(shù)的測試時，電流必須大到其所能承受的正常工作值，變頻器用IGBT測試儀批發(fā)，同時，在作關(guān)閉參數(shù)的漏電流測試時，電壓也必須夠高，以元件在真正工作狀態(tài)下的電流與電壓，變頻器用IGBT測試儀加工，如此其老化的程度才可顯現(xiàn)。半導體元件除了本身功能要良好之外，其各項參數(shù)能否達到電路上的要求，必須定期測量，否則產(chǎn)品的質(zhì)量特性很難保證，尤其是較大的功率元件，因具有耗損性，易老化及效率降低，因不平衡導致燒毀，甚至在使用中會發(fā)生。當這兩個參數(shù)通過后，變頻器用IGBT測試儀廠家，便表示元件基本上良好，再進一步作其他參數(shù)的測量，以分辨其中的優(yōu)劣。建議進行高溫測試，模擬器件使用工況，更為準確的判斷器件老化程度。

現(xiàn)今Power MOSFET(金屬氧化物場效晶體管)及IGBT（絕緣柵型場效應晶體管）已成為大功率元件的主流，在市場上居于主導地位?，F(xiàn)今PowerMOSFET(金屬氧化物場效晶體管)及IGBT（絕緣柵型場效應晶體管）已成為大功率元件的主流，在市場上居于主導地位。由于科技進步，電力電子裝置對輕薄短小及之要求 ，帶動MOSFET及IGBT的發(fā)展，尤其應用于電氣設(shè)備、光電、航天、鐵路、電力轉(zhuǎn)換....等領(lǐng)域，使半導體開發(fā)技術(shù)人員在市場需求下，對大功率元件的發(fā)展技術(shù)，持續(xù)在突破。

測試參數(shù)：ICES 集電極-發(fā)射極漏電流IGESF 正向柵極漏電流 IGESR 反向柵極漏電流BVCES 集電極-發(fā)射極擊穿電壓VGETH 柵極-發(fā)射極閾值電壓VCESAT 集電極-發(fā)射極飽和電壓ICON 通態(tài)電極電流VGEON 通態(tài)柵極電壓VF 二極管正向?qū)▔航?整個測試過程自動完成，電腦軟件攜帶數(shù)據(jù)庫管理查詢功能，可生成測試曲線，方便操作使用。測量目的：對模塊的電壓降參數(shù)進行檢測,可判斷模塊是否處于正常狀態(tài)。

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