曝光顯影光刻十步法：表面準(zhǔn)備—涂光刻膠—軟烘焙—對(duì)準(zhǔn)和曝光—顯影—硬烘焙—顯影目測(cè)—刻蝕負(fù)膠：聚合物曝光后會(huì)由非聚合態(tài)變?yōu)榫酆蠣顟B(tài)，形成一種互相粘結(jié)的物質(zhì)，手機(jī)殼曝光顯影價(jià)格，是抗刻蝕的，手機(jī)殼曝光顯影拋光，大多數(shù)負(fù)膠里面的聚合物是聚異戊二烯類(lèi)型的，手機(jī)殼曝光顯影公司，早期是基于橡膠型的聚合物；

正膠：其基本聚合物是-甲醛聚合物，也稱(chēng)為-甲醛Novolak樹(shù)脂，聚合物是相對(duì)不可溶的，在用適當(dāng)?shù)墓饽芰科毓夂?，光刻膠轉(zhuǎn)變成可溶狀態(tài)手機(jī)殼曝光顯影

曝光顯影光刻工藝是一種用來(lái)去掉晶圓表面層上所規(guī)定的特定區(qū)域的基本操作

分辨率-resolution 特征圖形尺寸-feature size 圖像尺寸-image size 定位圖形-Alignment or Registration 聚合-polymerization 抗刻蝕的-etch resistant or Resist or Photoresist 亮場(chǎng)掩膜版-clear field mask 光溶解-photosolubilization；

負(fù)膠 亮場(chǎng)或正膠 暗場(chǎng)形成空穴； 負(fù)膠 暗場(chǎng)或正膠 亮場(chǎng)形成凸起手機(jī)殼曝光顯影

曝光顯影是蝕刻工藝中非常重要的部分，它是圖案準(zhǔn)確度的決定性因素，手機(jī)殼曝光顯影，今天利成就整理一下蝕刻加工中曝光顯影需要注意哪些問(wèn)題。蝕刻加工的產(chǎn)品大都為精密零件，因此每一步的工藝設(shè)置與檢測(cè)都需要嚴(yán)格控制，才能保證蝕刻完成后的加工質(zhì)量。顯影工藝流程以及有關(guān)問(wèn)題的解決方法。溫度在三十度到四十度之間，濃度大概在百分之一到百分之二的無(wú)水碳酸鈉溶液作為水溶性干膜的顯影液。手機(jī)殼曝光顯影


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