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半導(dǎo)體元件除了本身功能要良好之外,其各項(xiàng)參數(shù)能否達(dá)到電路上的要求,必須定期測(cè)量,否則產(chǎn)品的質(zhì)量特性很難保證,尤其是較大的功率元件,因具有耗損性,易老化及效率降低,因不平衡導(dǎo)致燒毀,甚至在使用中會(huì)發(fā)生。所以對(duì)新產(chǎn)品及使用中的元件參數(shù)的篩選及檢查更為重要。 半導(dǎo)體元件的每一個(gè)參數(shù),依其極性的不同,都須要一個(gè)的測(cè)量電路,我公司所設(shè)計(jì)生產(chǎn)的半導(dǎo)體元件自動(dòng)測(cè)試系統(tǒng),檢修用IGBT測(cè)試儀,具有一組繼電器形成的矩陣電路,依每個(gè)參數(shù)的定義,形成千變?nèi)f化的電路,再依元件的出廠規(guī)格加上額定的電流或電壓后,檢修用IGBT測(cè)試儀價(jià)格,在極短的時(shí)間內(nèi)將所須要的數(shù)據(jù)量測(cè)出來(lái),且有些參數(shù)從量測(cè)的數(shù)據(jù)經(jīng)快速運(yùn)算即可得知其特性是否在規(guī)定范圍內(nèi)。1電壓源:220VAC±10%,50Hz/60Hz20ARMS。
華科智源IGBT測(cè)試儀制造標(biāo)準(zhǔn)華科智源IGBT測(cè)試儀HUSTEC-1200A-MT除滿(mǎn)足本技術(shù)規(guī)格書(shū)的要求外,在其設(shè)計(jì)、制造、試驗(yàn)、檢定等制程中還應(yīng)滿(mǎn)足以下標(biāo)準(zhǔn)的版本。因此,測(cè)量大電流情況下的各個(gè)模塊實(shí)際技術(shù)參數(shù),進(jìn)行跟蹤管理,可有效保障機(jī)車(chē)中間直流環(huán)節(jié)可靠運(yùn)行。GB/T 29332-2012 半導(dǎo)體器件分立器件第9 部分:絕緣柵雙極晶體管(IGBT)GB 13869-2008 用電安全導(dǎo)則GB19517-2004 國(guó)家電器設(shè)備安全技術(shù)規(guī)范GB 4208-2008 外殼防護(hù)等級(jí)(IP 代碼)(IEC 60529:2001,IDT)GB/T 191-2008 包裝儲(chǔ)運(yùn)圖示標(biāo)志GB/T 15139-1994 電工設(shè)備結(jié)構(gòu)總技術(shù)條件GB/T 2423 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)GB/T 3797-2005 電氣控制設(shè)備GB/T 4588.3-2002 印制板的設(shè)計(jì)和使用GB/T 9969-2008 工業(yè)產(chǎn)品使用說(shuō)明書(shū)總則GB/T 6988-2008 電氣技術(shù)用文件的編制GB/T 3859.3 半導(dǎo)體變流器變壓器和電抗器GB/T 4023-1997 半導(dǎo)體器件分立器件和集成電路第2 部分:整流二極管
11)動(dòng)態(tài)測(cè)試?yán)m(xù)流二極管
用于防止測(cè)試過(guò)程中的過(guò)電壓。
?壓降小于1V
?浪涌電流大于20kA
?反向恢復(fù)時(shí)間小于2μs
?工作溫度室溫~40℃
?工作濕度<70%
12)安全工作區(qū)測(cè)試?yán)m(xù)流二極管
?浪涌電流大于20kA
?反向恢復(fù)時(shí)間小于2μS
?工作溫度室溫~40℃
?工作濕度<70%
13)被測(cè)器件旁路開(kāi)關(guān)
被測(cè)安全接地開(kāi)關(guān),設(shè)備不運(yùn)行時(shí),被測(cè)接地。
?電流能力DC 50A
?隔離耐壓15kV
?響應(yīng)時(shí)間150ms
?工作方式氣動(dòng)控制
?工作氣壓0.4MPa
?工作溫度室溫~40℃
?工作濕度<70%
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