測(cè)試的IGBT參數(shù)包括：ICES（漏流）、BVCES（耐壓）、IGESF（正向門極漏流）、IGESR（反向門極漏流）、VGETH（門檻電壓／閾值）、VGEON（通態(tài)門極電壓）、VCESAT（飽和壓降）、ICON（通態(tài)集極漏流）、VF（二極管壓降）、GFS（跨導(dǎo)）、rCE（導(dǎo)通電阻）等全直流參數(shù)， 所有小電流指標(biāo)保證1%重復(fù)測(cè)試精度， 大電流指標(biāo)保證2%以內(nèi)重復(fù)測(cè)試精度。中大功率的元件僅在功能上的完好是不夠的，因其必須承受規(guī)格上的電壓與電流，在某條件下，承受度的數(shù)據(jù)便稱為此元件的參數(shù)。

半導(dǎo)體元件全自動(dòng)測(cè)試系統(tǒng)，可以元件在真正工作狀態(tài)下的電流及電壓，變頻器用IGBT測(cè)試儀現(xiàn)貨供應(yīng)，并測(cè)量重要參數(shù)的數(shù)據(jù)，變頻器用IGBT測(cè)試儀廠家，再與原出廠指標(biāo)比較，由此來判定元件的好壞或退化的百分比。每個(gè)電流模塊，都具有獨(dú)立的供電系統(tǒng)，以便在測(cè)試時(shí)，提供內(nèi)部電路及電池組充電之用； 可選購?fù)獠扛邏耗K，執(zhí)行關(guān)閉狀態(tài)參數(shù)測(cè)試如：各項(xiàng)崩潰電壓與漏電流測(cè)量達(dá)2KV。3、集電極電壓：50～100V±3%±1V 100～500V±3%±5V 500V～1000V±3%±10V 4、柵極驅(qū)動(dòng)電流：滿足5A以下測(cè)試要求。

如何執(zhí)行導(dǎo)通參數(shù)與漏電流的量測(cè)？

?測(cè)試條件中待輸入的數(shù)字，必須依照元件生產(chǎn)廠所提供的規(guī)格來輸入，而測(cè)量結(jié)果，亦必須在其所規(guī)定的限額內(nèi)，否則，變頻器用IGBT測(cè)試儀，便為不良品。

大功率I g b t模塊測(cè)試系統(tǒng)簡介

我公司所設(shè)計(jì)生產(chǎn)的半導(dǎo)體元件自動(dòng)測(cè)試系統(tǒng)具備下列測(cè)試能力：

☆可單機(jī)獨(dú)立操作，測(cè)試范圍達(dá)2000V及50A。

☆外接大電流擴(kuò)展裝置，檢測(cè)范圍可擴(kuò)展1600A。

測(cè)試參數(shù)多且完整、應(yīng)用領(lǐng)域更廣泛，但只要使用其基本的2項(xiàng)功能：「開啟」電流壓降，「關(guān)閉」電流的漏電流，變頻器用IGBT測(cè)試儀批發(fā)，就可知道大功半導(dǎo)體有沒有老化的現(xiàn)象。

?可移動(dòng)型儀器，使用方便，測(cè)試簡單快速，立即提供測(cè)試結(jié)果與數(shù)值。

?適用的半導(dǎo)體元件種類多，尤其能測(cè)大功率元件。

?用戶能確實(shí)掌握新采購元件的質(zhì)量，避免用到瑕疵或品。

?完全由計(jì)算機(jī)控制、快速的設(shè)定參數(shù)。

?適用于實(shí)驗(yàn)室和老化篩選的測(cè)試。

?操作非常簡單、速度快。

?完全計(jì)算機(jī)自動(dòng)判斷、自動(dòng)比對(duì)。

變頻器用IGBT測(cè)試儀現(xiàn)貨供應(yīng)-華科功率器件測(cè)試儀由深圳市華科智源科技有限公司提供。深圳市華科智源科技有限公司是一家從事“IGBT測(cè)試儀,功率器件測(cè)試儀,首件檢測(cè)儀”的公司。4MPa 電網(wǎng)電壓：AC220V±10%無嚴(yán)重諧波，三線制 電網(wǎng)頻率：50Hz±1Hz。自成立以來，我們堅(jiān)持以“誠信為本，穩(wěn)健經(jīng)營”的方針，勇于參與市場(chǎng)的良性競(jìng)爭(zhēng)，使“華科智源,HUSTEC,”品牌擁有良好口碑。我們堅(jiān)持“服務(wù)至上，用戶至上”的原則，使華科智源在電子測(cè)量儀器中贏得了客戶的信任，樹立了良好的企業(yè)形象。 特別說明：本信息的圖片和資料僅供參考，歡迎聯(lián)系我們索取準(zhǔn)確的資料，謝謝！