MKP是一種金屬化聚薄膜電容器，具有低損耗，無感結構和自愈擊穿的特點。 適用于高壓，大電流和高脈沖強度電路。  CBB電容器也稱為聚電容器。 電容為10p-10μ，額定電壓為63--2000V。 無極性，高絕緣電阻，出色的頻率特性和低介電損耗。

 使用上的區(qū)別：MKP電容器主要用于EMI傳入線路濾波，CBB電容器主要用于振蕩，耦合，電阻電容電路等；  CBB22的成本低于MKP，并且其電氣性能可以滿足實際的直流耐壓條件?？梢蕴娲鶰KP。

雙層陶瓷電容。

它的體積效率比Class1的好，但是它的電容精度和穩(wěn)定性都很差。普通的Class2電容在?55℃到85℃之間，而電容量誤差值在15%以內。離子交換2電容的散逸系數(shù)在2.5%左右。

三層陶瓷電容。

它的體積效率較高，但電容精度和穩(wěn)定性較差。普通Class3電容在10°C到55°C之間時，容量會有-22%到 56%的變化。碳酸鈣3電容的散熱系數(shù)約為4%。普通的Class3電容將用于去耦電容和其它電源供應設備。

MKP電容器的標稱額定電壓為250 / 275VAC（x2），但其直流耐受電壓必須達到2000V，而CBB電容器的耐受電壓標準僅為額定電壓的1.6倍。

 電容器的絕熱性能：MKP和CBB電容器使用聚丙烯薄膜電介質，因此損耗小且發(fā)熱小。 在實際應用電路中，溫升不應比環(huán)境溫度高6°C。 在實際測試中，許多電路板的溫度上升在4°C以內。 如果溫度高于此條件，則表明電容器具有較大的工作功率，并且兩種類型的電容器更有可能發(fā)生故障。

 應用模式和目的：CBB22的運行成本低于MKP，并且在滿足實際直流耐壓的條件下可以替代MKP的電氣性能。  MKP電容器主要用于EMI輸入線路濾波，而CBB電容器主要用于振蕩，耦合和電阻電容電路。  CBB的成本低于MKP，并且在滿足實際DC耐壓的同時，在電氣性能方面可以替代MKP。