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光子晶體圖案在傳感檢測、防偽、光學(xué)顯示和其它光學(xué)器件等方面體現(xiàn)了重要的應(yīng)用。光子晶體圖案的制備經(jīng)歷了的非響應(yīng)性被動(dòng)式光晶圖案,能響應(yīng)外場刺激的主動(dòng)式光晶圖案及經(jīng)外場調(diào)控后固定的圖案三個(gè)發(fā)展階段。非響應(yīng)性光晶圖案的制備是通過乳膠顆?;谀0宓淖越M裝或使用乳膠墨水噴墨打印直接獲得。響應(yīng)性光晶圖案是在光晶單元中引入光、熱、電、磁或溶劑響應(yīng)材料。所制備的圖案可以通過結(jié)構(gòu)色變化來可逆地響應(yīng)外部刺激,但是一旦離開特定的外部響應(yīng)條件,圖案會(huì)隨之消失。固定的光晶圖案是在外場調(diào)控的前提下制備好特殊的圖案,然后通過光熱或特殊的交聯(lián)固化作用使圖案固化。但圖案一旦固化,就不能調(diào)控。為滿足不斷增加的應(yīng)用需求,需要發(fā)展一種新型可控的光晶圖案,可根據(jù)實(shí)際需要實(shí)現(xiàn)圖案的保留或擦除,這對(duì)光晶圖案和基材的可重復(fù)使用至關(guān)重要。
調(diào)控導(dǎo)電高分子對(duì)陰離子的分子結(jié)構(gòu)來調(diào)控對(duì)陰離子的位阻,PEDOT多少錢,實(shí)現(xiàn)了薄膜自抑制法聚合(SIP)新工藝,PEDOT廠,獲得了可應(yīng)用的PEDOT厚膜材料,使得便捷制備微米級(jí)高電導(dǎo)率(>103 S/cm)PEDOT薄膜成為可能。在此研究基礎(chǔ)上,在自抑制效果下實(shí)現(xiàn)了高膜厚無氣孔PEDOT:DBSA-Te點(diǎn)復(fù)合薄膜的同步生成。通過新型Fe(III)氧化劑的自抑制作用,實(shí)現(xiàn)了PEDOT基體對(duì)均勻分散Te顆粒的緊密包覆,成功抑制了Te納米顆粒的氧化。
傳統(tǒng)的硅太陽能由于制備流程復(fù)雜、硬件設(shè)備投資高,使得電池成本高,限制了更大規(guī)模的應(yīng)用。因此,開發(fā)新型低成本太陽能電池具有重要的實(shí)際應(yīng)用價(jià)值。選用制備工藝簡單的新型電荷選擇性材料(PEDOT:PSS(聚(3,PEDOT,4-亞乙二氧基s吩)-聚(b乙烯磺酸))與晶硅基片形成非摻雜的異質(zhì)結(jié)太陽能電池,PEDOT哪家好,可以避免摻雜所需要的高溫工藝,有望獲得低成本的硅基異質(zhì)結(jié)太陽能電池。
但是這類異質(zhì)結(jié)電池存在PEDOT:PSS材料本身空穴遷移率低,PEDOT:PSS/硅接觸面性能差,以及硅/金屬電極接觸電阻高等問題,限制了電池轉(zhuǎn)換效率的提高。針對(duì)這一些列問題,蘭州大學(xué)物理科學(xué)與技術(shù)學(xué)院彭尚龍團(tuán)隊(duì)采用PEDOT:PSS材料改性、光吸收改善、硅納米陷光結(jié)構(gòu)的構(gòu)筑、硅表面鈍化和硅/金屬界面接觸電阻降低等策略,實(shí)現(xiàn)電池轉(zhuǎn)換效率提升和成本降低,取得了一系列研究成果。
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