光刻工藝的顯影方法， 光刻工藝的顯影方法，包括：提供半導(dǎo)體晶片，在所述半導(dǎo)體晶片上具有光敏材料層；向所述光敏材料層噴灑顯影液，使顯影液布滿整個光敏材料層表面；其特征在于，進一步包括：停止噴灑去離子水，并繼續(xù)旋轉(zhuǎn)所述半導(dǎo)體晶片；停止旋轉(zhuǎn)所述半導(dǎo)體晶片。光刻工藝的顯影方法，其特征在于：在向 所述光敏材料層噴灑去離子水之前，以小于100rpm的速率旋轉(zhuǎn)所 述半導(dǎo)體晶片，甩掉部分或全部溶解有光敏材料的顯影液和多余的顯影 液銘牌曝光顯影


正性光刻膠用顯影液及光刻工藝中的顯影方法，銘牌曝光顯影廠，目前一般通過延長顯影工藝中去離子水沖洗時間或者增加顯影工藝次數(shù)的方法減少光刻膠殘留，銘牌曝光顯影拋光，但是延長顯影工藝中去離子水沖洗的時間僅是借助于去離子水的物理沖擊力去除溶解的光刻膠，銘牌曝光顯影，對減少光刻膠殘留的作用并不明顯；而增加顯影工藝次數(shù)則延長了產(chǎn)品的生產(chǎn)周期，降低了生產(chǎn)效率。銘牌曝光顯影


曝光了光刻膠中的光敏成分，對于正性光刻膠而言，被曝光的光刻膠區(qū)域發(fā)生了光化學(xué)反應(yīng)，從而可溶于顯影液中；對所述半導(dǎo)體晶片上的光刻膠層進行曝光后烘烤， 通過曝光后烘烤，消除曝光時的駐波效應(yīng)，改善形成的光刻膠圖案的側(cè)壁輪廓；對所述光刻膠層進行顯影，光刻膠層被曝光的區(qū)域與顯影液發(fā)生化學(xué)反應(yīng)而溶解，然后用去離子水進行沖洗將溶解的光刻膠去除；銘牌曝光顯影


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