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雙極型與單極型晶體管

Shockley在雙極型晶體管的基礎(chǔ)上，于1952年進(jìn)一步提出了單極結(jié)型晶體管的概念，即今天所說的結(jié)型晶體管。其結(jié)構(gòu)與pnp或npn雙極型晶體管類似，但在p_n材料的界面存在一個耗盡層，以使柵極與源漏導(dǎo)電溝道之間形成一個整流接觸。同時兩端的半導(dǎo)體作為柵極。通過柵極調(diào)節(jié)源漏之間電流的大小

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由于電子管處理高頻信號的效果不理想，人們就設(shè)法改進(jìn)礦石收音機(jī)中所用的礦石觸須式檢波器。在這種檢波器里，有一根與礦石（半導(dǎo)體）表面相接觸的金屬絲（像頭發(fā)一樣細(xì)且能形成檢波接點(diǎn)），它既能讓信號電流沿一個方向流動，又能阻止信號電流朝相反方向流動。在第二次世界大戰(zhàn)爆發(fā)前夕，貝爾實驗室在尋找比早期使用的方鉛礦晶體性能更好的檢波材料時，發(fā)現(xiàn)摻有某種極微量雜質(zhì)的鍺晶體的性能不僅優(yōu)于礦石晶體，而且在某些方面比電子管整流器還要好。

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耗散功率

耗散功率也稱集電極最z大允許耗散功率PCM，是指晶體管參數(shù)變化不超過規(guī)定允許值時的最z大集電極耗散功率。耗散功率與晶體管的最z高允許結(jié)溫和集電極最z大電流有密切關(guān)系。晶體管在使用時，其實際功耗不允許超過PCM值，否則會造成晶體管因過載而損壞。通常將耗散功率PCM小于1W的晶體管稱為小功率晶體管，PCM等于或大于1W、小于5W的晶體管被稱為中功率晶體管，將PCM等于或大于5W的晶體管稱為大功率晶體管。

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