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      水滑石

生產(chǎn)水滑石

常用于加工PVC低發(fā)泡板材的穩(wěn)定劑有：（1）鉛鹽類穩(wěn)定劑；（2）有機(jī)錫類穩(wěn)定劑；（3）鈣鋅復(fù)合穩(wěn)定劑?？筛鶕?jù)制品，加工設(shè)備和應(yīng)用范圍來(lái)選擇穩(wěn)定劑。應(yīng)該優(yōu)先選擇使制品加工性能好，水滑石阻燃劑銷售，耐候性好，對(duì)人體無(wú)害的穩(wěn)定劑。目前鉛系穩(wěn)定劑占主要比例，因?yàn)樗麄儍r(jià)格低廉，水滑石阻燃劑，易于加工，應(yīng)用范圍廣，適用于型材、板材、管材和片材等。但隨著環(huán)保法規(guī)的日益嚴(yán)格，鈣鋅穩(wěn)定劑將成為主流，本文就鈣鋅穩(wěn)定劑在硬制發(fā)泡制品中的應(yīng)用試作一個(gè)分析。

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 生產(chǎn)水滑石

怎么處理廢水中的磷

目前，污水除磷的方法有化學(xué)沉淀法、電解法、微生物法、水生物法、物理吸附法、土壤處理法和膜技術(shù)處理法等。其中吸附法以其容量大、耗能少、污染小、去除快和可循環(huán)等優(yōu)點(diǎn)，在除磷方面得到了廣泛的應(yīng)用。用單一材料直接吸附磷的研究已經(jīng)成熟，現(xiàn)在的主要研究方向已經(jīng)轉(zhuǎn)為對(duì)材料進(jìn)行改性后用于磷的吸附研究，改性材料的吸附研究方興未艾。

　　

　　1.3 金屬(氫)氧化物

　　1.3.1 金屬氧化物

　　金屬氧化物具有表面積大、羥基團(tuán)眾多和選擇吸附性高的優(yōu)點(diǎn)。

　　氧化鐵吸附磷主要通過(guò)球面的靜電吸附和球內(nèi)絡(luò)合的化學(xué)吸附。磁性氧化鐵納米粒子在磷的初始質(zhì)量濃度為2~20 mg/L、吸附劑投加質(zhì)量濃度為0.6 g/L、反應(yīng)時(shí)間為24 h時(shí)，得到磷da吸附容量為5.03 mg/g，在pH=11.1時(shí)，水滑石阻燃劑制備，吸附容量則急劇下降到0.33 mg/g。

　　L. Rodrigues等研究水合氧化鋯吸附磷時(shí)發(fā)現(xiàn)，溫度由25 ℃升至65 ℃時(shí)，吸附容量則由53 mg/g升至67 mg/g，且在12 h達(dá)到吸附平衡，在pH=12時(shí)能解吸約74%的磷。氧化鋯納米粒子吸附磷的速率很快，在pH=6.2時(shí)可達(dá)da吸附容量為99.01 mg/g，是吸附容量gao的吸附劑之一，高濃度的共存陰離子對(duì)磷的吸附影響很小，吸附的適pH 為2~6，吸附容量在pH超過(guò)7時(shí)急劇下降。

　　1.3.2 水滑石

　　黃中子等在研究MgAl-CO3水滑石吸附磷時(shí)發(fā)現(xiàn)，當(dāng)磷的初始質(zhì)量濃度在25~100 mg/L時(shí)，水滑石阻燃劑指標(biāo)，30 min內(nèi)即可達(dá)到吸附平衡，磷的去除率超過(guò)99%。MgAlZr-CO3水滑石對(duì)磷的選擇吸附性很高，吸附溶液中離子的排序?yàn)镠PO42->>SO42->Cl-、NO3-，這是由于磷酸根離子直接與層間Zr(Ⅳ)離子發(fā)生了絡(luò)合反應(yīng)。

　　孫德智等研究ZnAl-2-300水滑石吸附磷的效果發(fā)現(xiàn)，污泥脫水液的溫度從25 ℃升到30 ℃時(shí)，水滑石的磷吸附容量明顯增加，水溫繼續(xù)升至50 ℃時(shí)，水滑石吸附容量又降至25 ℃時(shí)的水平。焙燒ZnAl水滑石會(huì)增大表面積和增加孔隙率，焙燒溫度為300 ℃時(shí)除磷效果jia，600 ℃時(shí)變成尖晶石從而減小了表面積。

　　膠體水滑石納米片在pH為4.5~11內(nèi)的除磷效果較好，吸附磷后的吸附劑可用作普通海藻石莼的生長(zhǎng)肥料。

　　

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生產(chǎn)水滑石

氨綸纖維行業(yè)動(dòng)態(tài)方面：⑴納米技術(shù)在聚氨酯氨綸纖維應(yīng)用取得突破，納米技術(shù)已由中科院化學(xué)所孫賢育研究員、孔克健研究員和北京大學(xué)化學(xué)與分子工程學(xué)院吳瑾光等科技人員在干法氨綸應(yīng)用中研究成功，并已獲得了發(fā)明。該發(fā)明選用了無(wú)機(jī)層狀納米材料如硅酸鋁鹽的蒙脫土（MMT），鎂鋁鹽的水滑石（LDHS）。首先對(duì)納米材料進(jìn)行有機(jī)化表面處理，防止納米材料團(tuán)聚，未經(jīng)處理的蒙脫土的層間距為1nm左右，片層面積由于折疊堆積達(dá)到數(shù)微米。經(jīng)有機(jī)化處理后層間間短為1.9nm，片層面積達(dá)到200－300nm。

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