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W10芯片框架采用框架引腳采用無(wú)氧銅材料,內(nèi)阻小導(dǎo)電性好,高壓整流橋堆品牌,鍍錫防氧化,保障了產(chǎn)品的導(dǎo)電性能,采用環(huán)氧樹(shù)脂材料一次性注塑成型,邊角刺,環(huán)氧樹(shù)脂阻燃性能好,煙臺(tái)高壓整流橋堆,強(qiáng)度高,耐高溫,外力沖擊不易裂,這種材料在阻燃性,散熱和耐高溫方面有著極高的優(yōu)勢(shì),被眾多二極管制造商采用。
W10整流圓橋,ASEMI。W10產(chǎn)品參數(shù):正向電壓為1.1V,正向電流、為1A,反向電壓為1000V, 它的浪涌電流Ifsm為50A,漏電流為5uA、工作溫度在-55~ 150℃,恢復(fù)時(shí)間達(dá)到500ns。芯片材質(zhì)才有了4個(gè)60MIL的。
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ASEMI整流橋DB157采用玻封GPP工藝芯片,高壓整流橋堆6級(jí)能效,密封性可靠性好,防電性衰降,內(nèi)阻小導(dǎo)電性好,承受大電流沖擊發(fā)熱小。輔以50MIL大規(guī)格尺寸的芯片,能夠保證DB157的輸出電流和反向耐壓持續(xù)穩(wěn)定。
ASEMI品牌DB157插件封裝系列小方橋,它的本體寬度為6.35mm,長(zhǎng)度為8.32mm,高度為2.35mm,腳間距為5.1mm,腳寬度為0.52,腳位距離為8.25mm,具體尺寸參數(shù)詳解如下圖所示:
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8A1000V扁橋KBJ810,ASEMI首芯品牌,采用激光打標(biāo)印字,鐳射激光打標(biāo),解決油墨絲印易掉色問(wèn)題,激光打標(biāo)生產(chǎn),訂貨貨期短,高壓整流橋堆價(jià)格,同時(shí)也解決油墨印字貨期長(zhǎng)、低效率問(wèn)題,預(yù)留定位孔方便安裝散熱裝置;采用臺(tái)灣波峰GPP芯片,而該芯片具有良好的穩(wěn)定性及抗沖擊能力,保證了KBJ810的整流電流穩(wěn)定在8A,反向耐壓穩(wěn)定在1000V。同時(shí)采用先進(jìn)的德國(guó)歐達(dá)設(shè)備檢測(cè),提高芯片的一致性和高可靠性。
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