磁控濺射鍍膜機(jī)導(dǎo)致不均勻因素哪些？

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原理上講，兩點(diǎn)：氣場(chǎng)和磁場(chǎng)

磁控濺射在0.4Pa的氣壓情況下離子撞擊靶材，濺射出粒子沉積到基材上，整體靶材的電壓幾乎一致，不影響濺射速率。

0.4Pa的氣場(chǎng)情況是濺射速率較高的情況，氣場(chǎng)變化，壓強(qiáng)變大和變小都會(huì)影響濺射速率。

磁場(chǎng)大，束縛的自由電子增多，磁控濺射儀，濺射速率增大，磁場(chǎng)小，束縛的自由電子就少，濺射速率降低。

穩(wěn)定住氣場(chǎng)和磁場(chǎng)，濺射速率也將隨之穩(wěn)定。

在實(shí)際情況下，氣場(chǎng)穩(wěn)定，需要設(shè)計(jì)布?xì)庀到y(tǒng)，磁控濺射儀多少錢，將布?xì)庀到y(tǒng)分級(jí)布置，保障鍍膜機(jī)腔體內(nèi)不同位置的進(jìn)氣量相同，同時(shí)，布?xì)庀到y(tǒng)、靶材、基材等要遠(yuǎn)離鍍膜機(jī)的抽氣口。需要穩(wěn)定磁場(chǎng)，用高斯計(jì)測(cè)量靶材表面磁場(chǎng)強(qiáng)度，由于磁場(chǎng)線本身是閉合曲線，靶材磁場(chǎng)回路兩端磁場(chǎng)強(qiáng)度自然比中間位置強(qiáng)，可以選擇用弱磁鐵，同時(shí)，基材要避開(kāi)無(wú)法調(diào)整的磁場(chǎng)變化較大的部分。

另外，在設(shè)備結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)方面，磁控濺射過(guò)程中，需要基材與靶材保持同軸，如果旋轉(zhuǎn)、直線運(yùn)行的話，磁控濺射儀哪家好，也要同軸旋轉(zhuǎn)、直線運(yùn)行。

臥式磁控濺射鍍膜機(jī)

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主要用途：　　

用于納米級(jí)單層及多層功能膜、硬質(zhì)膜、金屬膜、半導(dǎo)體膜、介質(zhì)膜等新型薄膜材料的制備。廣泛應(yīng)用于大專院校、科研院所的薄膜材料科研與小批量制備?！　?/p>

系統(tǒng)組成:　　

主要由真空室系統(tǒng)濺射室、靶及電源系統(tǒng)、樣品臺(tái)系統(tǒng)、真空抽氣及測(cè)量系統(tǒng)、氣路系統(tǒng)、控制系統(tǒng)、電控系統(tǒng)、計(jì)算機(jī)控制系統(tǒng)及輔助系統(tǒng)等組成。

磁控濺射設(shè)備的主要用途

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（1）各種功能性薄膜：如具有吸收、透射、反射、折射、偏光等作用的薄膜。例如，低溫沉積氮化硅減反射膜，以提高太陽(yáng)能電池的光電轉(zhuǎn)換效率。

（2）裝飾領(lǐng)域的應(yīng)用，如各種全反射膜及半透明膜等，如手機(jī)外殼，鼠標(biāo)等。

（3） 在微電子領(lǐng)域作為一種非熱式鍍膜技術(shù)，主要應(yīng)用在化學(xué)氣相沉積（CVD）或金屬有機(jī)

（4）化學(xué)氣相沉積（CVD）生長(zhǎng)困難及不適用的材料薄膜沉積，而且可以獲得大面積非常均勻的薄膜。

（5） 在光學(xué)領(lǐng)域：中頻閉合場(chǎng)非平衡磁控濺射技術(shù)也已在光學(xué)薄膜（如增透膜）、低輻射玻璃和透明導(dǎo)電玻璃等方面得到應(yīng)用。特別是透明導(dǎo)電玻璃廣泛應(yīng)用于平板顯示器件、太陽(yáng)能電池、微波與射頻屏蔽裝置與器件、傳感器等。

（6）在機(jī)械加工行業(yè)中，表面功能膜、超硬膜，磁控濺射儀價(jià)格，自潤(rùn)滑薄膜的表面沉積技術(shù)自問(wèn)世以來(lái)得到長(zhǎng)足發(fā)展，能有效的提高表面硬度、復(fù)合韌性、耐磨損性和抗高溫化學(xué)穩(wěn)定性能，從而大幅度地提高涂層產(chǎn)品的使用壽命。

磁控濺射除上述已被大量應(yīng)用的領(lǐng)域，還在高溫超導(dǎo)薄膜、鐵電體薄膜、巨磁阻薄膜、薄膜發(fā)光材料、太陽(yáng)能電池、記憶合金薄膜研究方面發(fā)揮重要作用。

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