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超高壓直插瓷片電容-迪一低損耗低漏電流

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發(fā)布時(shí)間:2021-12-08 04:01  






同方迪一介紹高壓瓷片電容器的作用

在電路和電力設(shè)備中,電容器是不可少的部分。電容器類型多,瓷片電容器就是其中之一。由于其耐壓值不同,瓷器電容器可分為低壓瓷器電容器和高壓瓷器電容器。今天分析高壓瓷電容器的作用。

高壓瓷片電容器是以陶瓷材料為介質(zhì)的圓板電容器,在瓷片電容器中,一般直流50v以下稱為低壓,直流100v~500v為中高壓,直流1000v~6000v為高壓,安規(guī)y電容器也為高壓,超高壓直插瓷片電容10KV,直流6000v以上為超高壓。高壓瓷片電容作用具有耐磨直流高壓的特點(diǎn),適用于高壓旁路和耦合電路,其中低損耗高壓圓片具有低介質(zhì)損耗,特別適用于接收機(jī)和掃描等電路。

高壓瓷片電容器對(duì)于高頻,高壓瓷電容器取決于在什么情況下使用,典型的作用可以消除高頻干擾。在大功率、高壓領(lǐng)域使用的高壓陶瓷電容要求具有小型、高壓、頻率特性好等特點(diǎn)。







同方迪一高壓陶瓷電容器制作的關(guān)鍵五點(diǎn)

(1)原料要精選

影響高壓陶瓷電容器質(zhì)量的因素,除瓷料組成外,優(yōu)化工藝制造、嚴(yán)格工藝條件是非常重要的。因此,對(duì)原料既要考慮成本又要注意純度,選擇工業(yè)純?cè)蠒r(shí),必須注意原料的適用性。

(2)熔塊的制備

熔塊的制備質(zhì)量對(duì)瓷料的球磨細(xì)度和燒成有很大的影響,如熔塊合成溫度偏低,則合成不充分。對(duì)后續(xù)工藝不利。如合成料中殘存Ca2 ,會(huì)阻礙軋膜工藝的進(jìn)行:如合成溫度偏高,使熔塊過硬,會(huì)影響球磨效率:研磨介質(zhì)的雜質(zhì)引入,會(huì)降低粉料活性,導(dǎo)致瓷件燒成溫度提高。

(3)成型工藝

成型時(shí)要防止厚度方向壓力不均,超高壓直插瓷片電容,坯體閉口氣孔過多,若有較大氣孔或?qū)恿旬a(chǎn)生,會(huì)影響瓷體的抗電強(qiáng)度。

(4)燒成工藝

應(yīng)嚴(yán)格控制燒成制度,采取性能優(yōu)良的控溫設(shè)備及導(dǎo)熱性良好的窯具。

(5)包封

包封料的選擇、包封工藝的控制以及瓷件表面的清潔處理等對(duì)電容器的特性影響很大。岡此,必須選擇抗潮性好,與瓷體表面密切結(jié)合的、抗電強(qiáng)度高的包封料。目前,大多選擇環(huán)氧樹脂,少數(shù)產(chǎn)品也有選用酚醛脂進(jìn)行包封的。還有采取先絕緣漆涂覆,超高壓直插瓷片電容20KV,再用酚醛樹脂包封方法的,這對(duì)降低成本有一定意義。大規(guī)模生產(chǎn)線上多采用粉末包封技術(shù)。






同方迪一分享瓷介電容的容量標(biāo)識(shí)的幾種方法


一、直接標(biāo)識(shí):如其電解電容,容量47uf,電容耐壓25v。

二、使用單位nf:如上圖的滌綸電容,標(biāo)稱4n7,即4.7nf,轉(zhuǎn)換為pf即為4700pf。還有的例如:10n,即0.01uf;33n,即0.033uf。后面的63是指電容耐壓63v。

三、數(shù)學(xué)計(jì)數(shù)法:如瓷介電容,標(biāo)值104,超高壓直插瓷片電容12KV,容量就是:10x10000pf=0.1uf.如果標(biāo)值473,即為47X1000pf=0.047uf。(后面的4、3,都表示10的多少次方)。又如:332=33X100pf=3300pf。電容的使用,都應(yīng)該在規(guī)定的耐壓下工作?,F(xiàn)在的好多質(zhì)量不高的產(chǎn)品,就因?yàn)槭褂昧四蛪翰蛔愕碾娙荻鸸收希ǔR婋娙荼眩?/span>







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