華科智源IGBT電參數(shù)測試儀，可用于多種封裝形式的IGBT的測試，還可以測量大功率二極管、IGBT模塊、大功率IGBT、大功率雙極型晶體管等器件的VI特性測試，廣泛應(yīng)用于軌道交通，電動汽車，風(fēng)力發(fā)電，焊機(jī)行業(yè)的IGBT來料選型和失效分析。測試過程簡單，既可以在測試主機(jī)里設(shè)置參數(shù)直接測試，又可以通過軟件控制主機(jī)編程后進(jìn)行自動測試。2011年，我們在深圳地鐵運(yùn)營公司前海車輛段大修車間，進(jìn)行了實(shí)際的展示與操作，廠方提供了許多元件來測試，其中一部份由于損毀嚴(yán)重，在一開始的功能與元件判別過程，即被判出局，而未進(jìn)入實(shí)質(zhì)的參數(shù)量測，也有全新的IGBT，量測結(jié)果完全合乎出廠規(guī)格。

深圳市華科智源科技有限公司，是一家從事功率半導(dǎo)體測試系統(tǒng)自主研發(fā)制造與綜合測試分析服務(wù)的高新技術(shù)企業(yè)，坐落于改革開放之都-中國深圳，業(yè)務(wù)為半導(dǎo)體功率器件智能檢測準(zhǔn)備研制生產(chǎn)，公司產(chǎn)品主要涉及SMT首件檢測儀，MOS管直流參數(shù)測試儀，MOS管動態(tài)參數(shù)測試儀，IGBT動態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)，IGBT靜態(tài)參數(shù)測試儀，大功率IGBT測試儀，在線式檢修用IGBT測試儀，變頻器檢修用IGBT測試儀，大功率IGBT測試儀批發(fā)，IGBT模塊測試儀，大功率IGBT測試儀廠家，軌道交通檢修用IGBT測試儀，風(fēng)力發(fā)電檢修用IGBT測試儀。01mA 柵極電壓Vge： 0V 4）集電極-發(fā)射極飽和電壓VCESat VCESat：0。

現(xiàn)今Power MOSFET(金屬氧化物場效晶體管)及IGBT（絕緣柵型場效應(yīng)晶體管）已成為大功率元件的主流，在市場上居于主導(dǎo)地位。由于科技進(jìn)步，大功率IGBT測試儀現(xiàn)貨供應(yīng)，電力電子裝置對輕薄短小及之要求 ，帶動MOSFET及IGBT的發(fā)展，尤其應(yīng)用于電氣設(shè)備、光電、航天、鐵路、電力轉(zhuǎn)換..每個電流模塊，都具有獨(dú)立的供電系統(tǒng)，以便在測試時，提供內(nèi)部電路及電池組充電之用。..等領(lǐng)域，使半導(dǎo)體開發(fā)技術(shù)人員在市場需求下，對大功率元件的發(fā)展技術(shù)，持續(xù)在突破。

3.6VCES集射極截止電壓0~5000V集電極電流ICES：0.01～1mA±3%±0.001mA；1～10mA±2%±0.01mA；10～50mA±1%±0.1mA；集電極電壓VCES：0-5000V±1.5%±2V；*3.7 ICES集射極截止電流0.01～50mA集電極電壓VCES：50～500V±2%±1V；500～5000V±1.5%±2V；集電極電流ICES：0.001～1mA±3%±0.001mA；1～10mA±2%±0.01mA；10～150mA±1%±0.1mA；*3.8VCE(sat)飽和導(dǎo)通壓降0.001～10V集電極電流ICE：0-1600A集電極電壓VCEs：0.001～10V±0.5%±0.001V柵極電壓Vge：5～40V±1%±0.01V集電極電流ICE：0～100A±1%±1A；100～1600A±2%±2A；*3.9Iges柵極漏電流0.01～10μA柵極漏電流IGEs：0.01～10μA±2%±0.005μA柵極電壓Vge：±1Ｖ～40V±1%±0.1V；2）集射極截止電壓/集射極截止電流測試電路 集射極截止電壓/發(fā)射極截止電流測試電路 。Vce=0V；*3.10VF正向特性測試0.1～5V二極管導(dǎo)通電壓Vf：0.1～5V±1%±0.01V電流IF：0～100A±2%±1A；100～1600A±1.5%±2A；

大功率IGBT測試儀-華科半導(dǎo)體器件測試儀由深圳市華科智源科技有限公司提供?！癐GBT測試儀,功率器件測試儀,首件檢測儀”選擇深圳市華科智源科技有限公司，公司位于：深圳市寶安區(qū)西鄉(xiāng)街道智匯創(chuàng)新中心B座606，多年來，華科智源堅(jiān)持為客戶提供好的服務(wù)，聯(lián)系人：陳少龍。歡迎廣大新老客戶來電，來函，親臨指導(dǎo)，洽談業(yè)務(wù)。華科智源期待成為您的長期合作伙伴！當(dāng)功率元件老化時，元件的內(nèi)阻在導(dǎo)通時必定會加大，因而使溫度升高，并使其效能降低。