【廣告】
原位聚合法
原位聚合法是將單體或可溶性預(yù)聚體在基材表面聚合形成導(dǎo)電聚合物膜,主要包括直接聚合法、溶液聚合吸附法、化學(xué)氣相沉積法、氣相沉積聚合法、液相沉降聚合法。原位聚合法是一種極有前景的制作PEDOT對電極的方法,這種方法在制作其他PEDOT材料尤其是光學(xué)材料上得到了廣泛的應(yīng)用,一些xPEDOT薄膜對電極研究中的制膜均采用該方法。
PEDOT:PSS廣泛用于鈣鈦礦太陽能電池(PSC),是的空穴傳輸層(HTL)。然而,與傳統(tǒng)的平面PSC(壓區(qū))相比,基于PEDOT:PSS HTL的反向平面PSC通常表現(xiàn)出高達(dá)200 mV的電壓損耗。
SEM,AFM和XPS測量表明,PEDOT怎么樣,CsI通過與PbI2反應(yīng)形成CsPbI3來改變PEDOT:PSS和鈣鈦礦之間的界面,從而促進(jìn)界面接觸和電荷傳輸。
在CsI-修飾(CsI-PEDOT:PSS)之后,PEDOT:PSS的空穴傳輸性質(zhì)和空穴提取得到增強(qiáng),而能級更有利并且電荷復(fù)合得到抑制。
與原始PEDOT:PSS相比,它遭受大的非輻射復(fù)合損耗(0.375 V),CsI-PEDOT:PSS使器件實(shí)現(xiàn)了令人印象深刻的低非輻射電壓損耗(僅0.287 V)。
使用CsI-PEDOT:PSS的反向PSC顯示出小的電壓損失并實(shí)現(xiàn)高VOC(1.084 V),的功率轉(zhuǎn)換效率(PCE)為20.22%,并且沒有滯后現(xiàn)象,PEDOT,而沒有CsI的參考組顯示效率僅為16.57%。
盡管強(qiáng)酸處理能顯著提高PEDOT:PSS薄膜的導(dǎo)電率,PEDOT找哪家,但大多數(shù)強(qiáng)酸處理易破壞塑料襯底,影響器件的機(jī)械柔性。為了制備高導(dǎo)電性PEDOT:PSS并避免破壞塑料襯底,PEDOT廠,一條路線是使用轉(zhuǎn)移-印刷方法。然而,轉(zhuǎn)印-印刷工藝復(fù)雜苛刻,要嚴(yán)格調(diào)控界面間的范德華力。另一種途徑是制備金屬/ PEDOT:PSS的雙層結(jié)構(gòu)的電極。利用金屬薄膜提高電極的方塊電阻,然而,PEDOT:PSS薄膜的導(dǎo)電率(500-1000 S/cm)有待提高;另外,PEDOT:PSS水分散體酸性強(qiáng)(pH=1),對金屬有腐蝕破壞作用,會(huì)降低電極和器件的性能。而室溫溫和甲磺酸處理為制備柔性的PEDOT:PSS 的塑料電極提供了一條簡單而有效的途徑。
企業(yè): 無錫暢宏科技有限公司
手機(jī): 18921176004
電話: 0510-81011610
地址: 江蘇省無錫市金城東路493號