同方迪一直插瓷片電容詳細介紹 

直插瓷片電容(ceramiccapacitor)是一種用結(jié)構(gòu)陶瓷作物質(zhì)，在瓷器表層涂敷一層金屬材料塑料薄膜，再經(jīng)高溫煅燒后做為電級而成的電容器。一般用以高平穩(wěn)震蕩回路中，做為回路、旁通電容器及墊整電容器。

直插瓷片電容分高頻率瓷介和低頻瓷介二種。具備小的正電容器溫度系數(shù)的電容器，用以高平穩(wěn)震蕩回路中，做為回路電容器及墊整電容器。低頻瓷介電容器限于在輸出功率較低的回路中作旁通或隔直流電用，或?qū)煽啃院秃膿p規(guī)定不太高的場所〈包含高頻率以內(nèi)〉。這類電容器不適合應(yīng)用在單脈沖電源電路中，由于他們便于被單脈沖工作電壓穿透。

按瓷介電容器電介質(zhì)又分:1類電介質(zhì)(NP0，C0G)，清遠瓷片電容30KV，2類電介質(zhì)(X7R，2X1)和3類電介質(zhì)(Y9V，2F4)瓷介電容器。E198MLCC(1類)—小型化，高頻率化，極低耗損，低ESR，超高壓瓷片電容30KV，高平穩(wěn)，高抗壓，高絕緣層，高靠譜，無旋光性，低阻值，成本低，耐熱.關(guān)鍵運用于高頻電路中。

MLCC(2類)—小型化，高比容，中髙壓，無旋光性，高靠譜，耐熱，低ESR，成本低.關(guān)鍵運用于中，低頻電源電路中作隔直，藕合，旁通和過濾等電容器應(yīng)用。

高壓瓷片電容生產(chǎn)工藝介紹

高壓瓷片電容就是兩塊導(dǎo)體夾著一塊絕緣體構(gòu)成的電子元件.就像三明治一樣，高壓瓷片電容的測試過程中，首先是選料，主要是測試條件在25±5℃度之間，濕度為65±10%RH為標準，IQC檢驗進料都是按標準IEC60384來檢測，再看此產(chǎn)品是否符合要求，并且試作每一種規(guī)格。

前期是：粉未；生胚；素片；銀片，穿片；焊錫；涂裝；打??；測試；包裝。

現(xiàn)在是導(dǎo)線；組合；焊錫；涂裝；烘烤；打?。荒蛪簻y試，檢測，工廠已全采用全自動線設(shè)備，每個工序都是使用的全自動化機器進行100%全檢。

高壓瓷片電容生產(chǎn)流程：

高壓瓷片電容燒壞的原因介紹

一:潮濕對電參數(shù)惡化的影響?？諝庵袦囟冗^高， 會使高壓瓷片電容的表面絕緣電阻下降， 對于半密封結(jié)構(gòu)電容器來說，水分會滲透到電容器的介質(zhì)內(nèi)部使電容器介質(zhì)的絕緣電阻絕緣能力下降。因此，高溫，高濕環(huán)境對瓷片電容的損壞影響較大。

二:銀離子的遷移。無機介質(zhì)電容器多半采用銀電極，半密封電容器在高溫條件下工作，滲入電容器內(nèi)部的水分子產(chǎn)生電解。產(chǎn)生氧化反應(yīng)，超高壓瓷片電容30KV，銀離子與氫氧根離子結(jié)合產(chǎn)生氫氧化銀。由于電極反應(yīng)，銀離子遷移不僅發(fā)生在無機介質(zhì)表面，還擴散到無機介質(zhì)內(nèi)部，引起漏電流增大，嚴重時會使兩個銀電極之間完全短路，導(dǎo)致高壓瓷片電容損壞或擊穿。

三:有的高壓瓷片電容，在運用測試操作時，超高壓瓷片電容30KV，電容器投入時的電流過大，無任何無電壓保護措施，也無串聯(lián)電抗器，使電容器過熱，絕緣降低或損壞，如果操作頻繁，也會影響陶瓷電容損壞，甚至炸掉。

四:從單顆瓷片電容分析，電容碰到了強大的電流，導(dǎo)致內(nèi)部材料發(fā)熱，散熱不及時，造成熱擊穿損壞。

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