3）IGBT飽和壓降/FRD正向?qū)▔航禍y(cè)試電路 通態(tài)壓降測(cè)試電路?高壓充電電源：10~1500V連續(xù)可調(diào)?支撐電容：額定電壓2kV?飽和通態(tài)壓降電壓探頭精度要求：0.1～10V±3%±0.01V?柵極電壓輸出要求：5～25V±1%±0.01V ?集電極電流測(cè)試設(shè)備精度： 200～500A±3%±1A；500～1000A±2%±2A?測(cè)試脈沖寬度：0.1~1ms可設(shè)定4）柵極漏電流測(cè)試電路 柵極漏電流測(cè)試電路?可調(diào)電源：±1Ｖ～±40V±2%±0.1V；?小電流測(cè)量設(shè)備精度：0.01～10μA±2%±0.005μA?柵極電壓Vge：±1Ｖ～40V±1%±0.1V；?3 機(jī)臺(tái)可測(cè)MOS項(xiàng)目 Vf、Vdsat、IGSS、Vgth、BVdss、Rds(on)、Gfs3。脈沖時(shí)間：40~100ms可設(shè)定

什么是大功率半導(dǎo)體元件？其用途為何？

凡是半導(dǎo)體元件如金屬氧化場(chǎng)效晶體管(MOSFET)、IGBT(INSULATED GATE B.TRANSISTOR)及TRIAC（可控硅）、SCR（晶閘管）、 GTO等各型閘流體與二極管(DI ODE)等，便攜式IGBT測(cè)試儀，其工作電流與電壓乘積若大于1KW以上，便攜式IGBT測(cè)試儀批發(fā)，均可屬于大功率的范圍。如下圖片所示。此類元件多用于車船，工廠的動(dòng)力，光電及其他能源的轉(zhuǎn)換上?，F(xiàn)代新型IGBT大功率器件的全參數(shù)進(jìn)行智能化測(cè)試測(cè)試、篩選、分析，以確保出廠產(chǎn)品的穩(wěn)定性、可靠性。

3.6VCES集射極截止電壓0~5000V集電極電流ICES：0.01～1mA±3%±0.001mA；1～10mA±2%±0.01mA；10～50mA±1%±0.1mA；集電極電壓VCES：0-5000V±1.5%±2V；*3.7 ICES集射極截止電流0.01～50mA集電極電壓VCES：50～500V±2%±1V；500～5000V±1.5%±2V；集電極電流ICES：0.001～1mA±3%±0.001mA；1～10mA±2%±0.01mA；10～150mA±1%±0.1mA；*3.8VCE(sat)飽和導(dǎo)通壓降0.001～10V集電極電流ICE：0-1600A集電極電壓VCEs：0.001～10V±0.5%±0.001V柵極電壓Vge：5～40V±1%±0.01V集電極電流ICE：0～100A±1%±1A；100～1600A±2%±2A；*3.9Iges柵極漏電流0.01～10μA柵極漏電流IGEs：0.01～10μA±2%±0.005μA柵極電壓Vge：±1Ｖ～40V±1%±0.1V；Vce=0V；*3.10VF正向特性測(cè)試0.1～5V二極管導(dǎo)通電壓Vf：0.1～5V±1%±0.01V電流IF：0～100A±2%±1A；測(cè)試條件中待輸入的數(shù)字，必須依照元件生產(chǎn)廠所提供的規(guī)格來(lái)輸入，而測(cè)量結(jié)果，亦必須在其所規(guī)定的限額內(nèi)，否則，便為不良品。100～1600A±1.5%±2A；

便攜式IGBT測(cè)試儀加工-華科智源-便攜式IGBT測(cè)試儀由深圳市華科智源科技有限公司提供。深圳市華科智源科技有限公司堅(jiān)持“以人為本”的企業(yè)理念，擁有一支高素質(zhì)的員工隊(duì)伍，力求提供更好的產(chǎn)品和服務(wù)回饋社會(huì)，并歡迎廣大新老客戶光臨惠顧，真誠(chéng)合作、共創(chuàng)美好未來(lái)。華科智源——您可信賴的朋友，公司地址：深圳市寶安區(qū)西鄉(xiāng)街道智匯創(chuàng)新中心B座606，聯(lián)系人：陳少龍。測(cè)試過(guò)程簡(jiǎn)單，既可以在測(cè)試主機(jī)里設(shè)置參數(shù)直接測(cè)試，又可以通過(guò)軟件控制主機(jī)編程后進(jìn)行自動(dòng)測(cè)試。