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什么是增強(qiáng)型MOS管？

增強(qiáng)型是通過“加厚”導(dǎo)電溝道的厚度來導(dǎo)通，由上圖可以看出，柵極電壓越低，品質(zhì)廠家，則p型源、漏極的正離子就越靠近中間，n襯底的負(fù)離子就越遠(yuǎn)離柵極，柵極電壓達(dá)到一個(gè)值，叫閥值或坎壓時(shí)，由p型游離出來的正離子連在一起，形成通道，6N65品質(zhì)廠家，就是圖示效果。因此，容易理解，柵極電壓必須低到一定程度才能導(dǎo)通，6N60品質(zhì)廠家，電壓越低，通道越厚，導(dǎo)通電阻越小。由于電場(chǎng)的強(qiáng)度與距離平方成正比，因此，電場(chǎng)強(qiáng)到一定程度之后，電壓下降引起的溝道加厚就不明顯了，也是因?yàn)閚型負(fù)離子的“退讓”是越來越難的。耗盡型的是事先做出一個(gè)導(dǎo)通層，用柵極來加厚或者減薄來控制源漏的導(dǎo)通。但這種管子一般不生產(chǎn)，在市面基本見不到。所以，大家平時(shí)說mos管，9N90品質(zhì)廠家，就默認(rèn)是增強(qiáng)型的。

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ASEMI品牌 MOS管 SYM601 600V MOSFET

型號(hào)：SYM601

封裝：SOT-89

漏極電流（VDS）：1A

漏源電壓（ID）：600V

工作溫度：-55℃~150℃

封裝形式：貼片

種類：場(chǎng)效應(yīng)晶體管/MOSFET/MOS管

品牌：ASEMI

MOS電容的GATE電位是0V。金屬GATE和半導(dǎo)體BACKGATE在WORK FUNCTION上的差異在電介質(zhì)上產(chǎn)生了一個(gè)小電場(chǎng)。在器件中，這個(gè)電場(chǎng)使金屬極帶輕微的正電位，P型硅負(fù)電位。

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ASEMI品牌 25N120 MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管 插件封裝 MOSFET

型號(hào)：25N120

封裝：TO-247/3P

漏極電流（VDS）：25A

漏源電壓（ID）：1200V

工作溫度：-55℃~150℃

種類：場(chǎng)效應(yīng)晶體管/MOSFET

品牌：ASEMI

市面上常有的一般為N溝道和P溝道，詳情參考右側(cè)圖片(P溝道耗盡型MOS管)。而P溝道常見的為低壓mos管。

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