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MOS管與三極管,開關(guān)管的區(qū)別:
它們的區(qū)別在于,MOS管是單極性管子而三極管屬于雙極性管子,這個(gè)單極性和雙極性的意思是來自于半導(dǎo)體內(nèi)部載流子類型而區(qū)分出來的,所以單極性就是一種載流子而雙極性就是兩種載流子。
載流子種類越多,25N120品質(zhì)供應(yīng)商,相互阻礙就越大,所以單極性管子就會(huì)相比雙極性管子的阻抗小很多,10N60品質(zhì)供應(yīng)商,即輸出的電流可以大很多,同時(shí)也允許通過更大電流,允許更大電壓。
根據(jù)MOS管,三極管的性質(zhì)可知,通過對(duì)它們工作電壓的改變可以使它們分別用來放大信號(hào),用來做開關(guān),而MOS管,三極管同時(shí)也有大功率和小功率的各種類型管子,6N60品質(zhì)供應(yīng)商,因此結(jié)合以上特點(diǎn)可知,MOS管,三極管既可以用來做開關(guān)管也可以用來做功率管。
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ASEMI品牌 10N60 MOS場(chǎng)效應(yīng)管 10A 600V 插件封裝類型
型號(hào):10N60
封裝:TO-220AB
漏極電流(VDS):10A
漏源電壓(ID):600V
工作溫度:-55℃~150℃
種類:N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管
品牌:ASEMI
MOS管的source和drain是可以對(duì)調(diào)的,他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況下,這個(gè)兩個(gè)區(qū)是一樣的,即使兩端對(duì)調(diào)也不會(huì)影響器件的性能。這樣的器件被認(rèn)為是對(duì)稱的。編輯:L
MOSFET(場(chǎng)效應(yīng)管)的主要參數(shù):
4. 柵源擊穿電壓BVGS
·在增加?xùn)旁措妷哼^程中,使柵極電流IG由零開始劇增時(shí)的VGS,品質(zhì)供應(yīng)商,稱為柵源擊穿電壓BVGS。
5. 低頻跨導(dǎo)gm
·在VDS為某一固定數(shù)值的條件下 ,漏極電流的微變量和引起這個(gè)變化的柵源電壓微變量之比稱為跨導(dǎo)
·gm反映了柵源電壓對(duì)漏極電流的控制能力,是表征MOS管放大能力的一個(gè)重要參數(shù)
·一般在十分之幾至幾mA/V的范圍內(nèi)
企業(yè): 強(qiáng)元芯電子(廣東)有限公司
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