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MOS管（MOSFET/場效應(yīng)管）的主要參數(shù)：

6. 導(dǎo)通電阻RON

·導(dǎo)通電阻RON說明了VDS對ID的影響 ，場效應(yīng)晶體管，是漏極特性某一點(diǎn)切線的斜率的倒數(shù)

·在飽和區(qū)，ID幾乎不隨VDS改變，RON的數(shù)值很大，一般在幾十千歐到幾百千歐之間

·由于在數(shù)字電路中 ，MOS管導(dǎo)通時經(jīng)常工作在VDS=0的狀態(tài)下，所以這時的導(dǎo)通電阻RON可用原點(diǎn)的RON來近似

·對一般的MOS管而言，RON的數(shù)值在幾百歐以內(nèi)

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MOS管（MOSFET）的發(fā)熱情況：

1.電路設(shè)計(jì)的問題，就是讓MOS管工作在線性的工作狀態(tài)，而不是在開關(guān)狀態(tài)。這也是導(dǎo)致MOS管發(fā)熱的一個原因。如果N-MOS做開關(guān)，G級電壓要比電源高幾V，才能完全導(dǎo)通，P-MOS則相反。沒有完全打開而壓降過大造成功率消耗，等效直流阻抗比較大，壓降增大，所以U*I也增大，25N120場效應(yīng)晶體管，損耗就意味著發(fā)熱。這是設(shè)計(jì)電路的忌諱的錯誤。

2.頻率太高，主要是有時過分追求體積，導(dǎo)致頻率提高，MOS管上的損耗增大了，所以發(fā)熱也加大了。

3.沒有做好足夠的散熱設(shè)計(jì)，6N65場效應(yīng)晶體管，電流太高，MOS管標(biāo)稱的電流值，一般需要良好的散熱才能達(dá)到。所以ID小于電流，也可能發(fā)熱嚴(yán)重，需要足夠的輔助散熱片。

4.MOS管的選型有誤，對功率判斷有誤，MOS管內(nèi)阻沒有充分考慮，導(dǎo)致開關(guān)阻抗增大。

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如何區(qū)分MOS管的源極和漏極？

MOS管結(jié)構(gòu)示意圖中，我們可以看出左右是對稱的，難免會有人問怎么區(qū)分源極和漏極呢？其實(shí)原理上，源極和漏極確實(shí)是對稱的，是不區(qū)分的。但在實(shí)際應(yīng)用中，廠家一般在源極和漏極之間連接一個二極管，起保護(hù)作用，正是這個二極管決定了源極和漏極，這樣，封裝也就固定了，便于實(shí)用。

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