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ASEMI品牌 10N60 MOS場效應(yīng)管 10A 600V 插件封裝類型
型號:10N60
封裝:TO-220AB
漏極電流(VDS):10A
漏源電壓(ID):600V
工作溫度:-55℃~150℃
種類:N溝道增強型場效應(yīng)管
品牌:ASEMI
MOS管的source和drain是可以對調(diào)的,他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況下,9N90品質(zhì)mos管,這個兩個區(qū)是一樣的,6N60品質(zhì)mos管,即使兩端對調(diào)也不會影響器件的性能。這樣的器件被認(rèn)為是對稱的。編輯:L
絕緣型場效應(yīng)管的柵極與源極、柵極和漏極之間均采用SiO2絕緣層隔離,因此而得名。又因柵極為金屬鋁,故又稱為MOS管。它的柵極-源極之間的電阻比結(jié)型場效應(yīng)管大得多,品質(zhì)mos管,可達1010Ω以上,還因為它比結(jié)型場效應(yīng)管溫度穩(wěn)定性好、集成化時溫度簡單,而廣泛應(yīng)用于大規(guī)模和超大規(guī)模集成電路中。
與結(jié)型場效應(yīng)管相同,MOS管工作原理動畫示意圖也有N溝道和P溝道兩類,但每一類又分為增強型和耗盡型兩種,25N120品質(zhì)mos管,因此MOS管的四種類型為:
N溝道增強型管、N溝道耗盡型管、
P溝道增強型管、P溝道耗盡型管。
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ASEMI品牌 24N50 MOS場效應(yīng)管 插件封裝類型MOSFET
型號:24N50
封裝:TO-247/3P
漏極電流(VDS):24A
漏源電壓(ID):500V
工作溫度:-55℃~150℃
種類:場效應(yīng)晶體管
品牌:ASEMI
場效應(yīng)管(FET),把輸入電壓的變化轉(zhuǎn)化為輸出電流的變化。FET的增益等于它的跨導(dǎo), 定義為輸出電流的變化和輸入電壓變化之比。企業(yè): 強元芯電子(廣東)有限公司
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