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MOS管理論圖與實物有什么區(qū)別？

MOS管結(jié)構(gòu)示意圖僅僅是原理性的，實際的元件增加了源-漏之間跨接的保護二極管，從而區(qū)分了源極和漏極。實際的元件，p型的，10N60場效應(yīng)晶體管，襯底是接正電源的，使得柵極預(yù)先成為相對負(fù)電壓，因此p型的管子，柵極不用加負(fù)電壓了，接地就能保證導(dǎo)通。相當(dāng)于預(yù)先形成了不能導(dǎo)通的溝道，嚴(yán)格講應(yīng)該是耗盡型了。好處是明顯的，場效應(yīng)晶體管，應(yīng)用時拋開了負(fù)電壓。

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ASEMI低壓MOS管 A09T/ 3400 30V的N道MOS管 

型號：A09T / 3400

封裝：SOT-23

漏極電流（VDS）：5.8A

漏源電壓（ID）：30V

工作溫度：-55℃~150℃

封裝形式：貼片

種類：場效應(yīng)晶體管（MOSFET/MOS管）

品牌：ASEMI

在對稱的MOS管中，對source和drain的標(biāo)注有一點任意性。定義上，25N120場效應(yīng)晶體管，載流子流出source，流入drain。因此Source和drain的身份就靠器件的偏置來決定了。有時晶體管上的偏置電壓是不定的，兩個引線端就會互相對換角色。這種情況下，電路設(shè)計師必須認(rèn)定一個是drain另一個是source。

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ASEMI原裝 20N10 插件MOSFET（場效應(yīng)管）

型號：20N10

封裝：TO-220AB

漏極電流（VDS）：20A

漏源電壓（ID）：100V

工作溫度：-55℃~150℃

封裝形式：插件

種類：場效應(yīng)晶體管/MOSFET/MOS管

品牌：ASEMI

首先考察一個更簡單的器件--MOS電容--能更好的理解MOS管。這個器件有兩個電極，9N90場效應(yīng)晶體管，一個是金屬，另一個是extrinsic silicon(外在硅)，他們之間由一薄層二氧化硅分隔開。

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