華科智源IGBT電參數(shù)測試儀，可用于多種封裝形式的IGBT的測試，還可以測量大功率二極管、IGBT模塊、大功率IGBT、大功率雙極型晶體管等器件的VI特性測試，廣泛應(yīng)用于軌道交通，檢修用IGBT測試儀廠家，電動汽車，風(fēng)力發(fā)電，焊機(jī)行業(yè)的IGBT來料選型和失效分析。7測試夾具 1、控制方式：氣動控制 2、控溫范圍：室溫—150℃室溫—125℃±1。測試過程簡單，既可以在測試主機(jī)里設(shè)置參數(shù)直接測試，又可以通過軟件控制主機(jī)編程后進(jìn)行自動測試。

深圳市華科智源科技有限公司，是一家從事功率半導(dǎo)體測試系統(tǒng)自主研發(fā)制造與綜合測試分析服務(wù)的高新技術(shù)企業(yè)，坐落于改革開放之都-中國深圳，業(yè)務(wù)為半導(dǎo)體功率器件智能檢測準(zhǔn)備研制生產(chǎn)，公司產(chǎn)品主要涉及SMT首件檢測儀，MOS管直流參數(shù)測試儀，MOS管動態(tài)參數(shù)測試儀，IGBT動態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)，IGBT靜態(tài)參數(shù)測試儀，檢修用IGBT測試儀價(jià)格，在線式檢修用IGBT測試儀，變頻器檢修用IGBT測試儀，IGBT模塊測試儀，檢修用IGBT測試儀，軌道交通檢修用IGBT測試儀，風(fēng)力發(fā)電檢修用IGBT測試儀。9A±3%±50mA 10A～50A±3%±1A 3、EA：10mJ～20J 10mJ～1000mJ±3%±1mJ 1J～20J±3%±10mJ 4、脈沖寬度：40—1000uS可設(shè)定 5、測試頻率：單次 2。

參數(shù)名稱符號參數(shù)名稱符號

開通延遲時(shí)間td(on)關(guān)斷延遲時(shí)間td(off)

上升時(shí)間tr下降時(shí)間tf

開通時(shí)間ton關(guān)斷時(shí)間toff

開通損耗Eon關(guān)斷損耗Eoff

柵極電荷Qg

短路電流ISC//

可測量的FRD動態(tài)參數(shù)

參數(shù)名稱符號參數(shù)名稱符號

反向恢復(fù)電流IRM反向恢復(fù)電荷Qrr

反向恢復(fù)時(shí)間trr反向恢復(fù)損耗Erec

靜態(tài)及動態(tài)測試系統(tǒng)技術(shù)規(guī)范供貨范圍一覽表序號名稱型號單位數(shù)量1半導(dǎo)體靜態(tài)及動態(tài)測試系統(tǒng)HUSTEC-2010套11范圍本技術(shù)規(guī)范提出的是限度的要求，并未對所有技術(shù)細(xì)節(jié)作出規(guī)定，也未充分引述有關(guān)標(biāo)準(zhǔn)和規(guī)范的條文，供貨方應(yīng)提供符合工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)和本技術(shù)規(guī)范的產(chǎn)品。半導(dǎo)體元件除了本身功能要良好之外，其各項(xiàng)參數(shù)能否達(dá)到電路上的要求，必須定期測量，否則產(chǎn)品的質(zhì)量特性很難保證，尤其是較大的功率元件，因具有耗損性，易老化及效率降低，因不平衡導(dǎo)致燒毀，甚至在使用中會發(fā)生。本技術(shù)規(guī)范所使用的標(biāo)準(zhǔn)如遇與供貨方所執(zhí)行的標(biāo)準(zhǔn)不一致時(shí)，應(yīng)按較高標(biāo)準(zhǔn)執(zhí)行。

華科IGBT測試儀-檢修用IGBT測試儀批發(fā)由深圳市華科智源科技有限公司提供。深圳市華科智源科技有限公司位于深圳市寶安區(qū)西鄉(xiāng)街道智匯創(chuàng)新中心B座606。1 機(jī)臺可測試器件類型 二極管、MOSFET、IGBT單管及模組 * 3。在市場經(jīng)濟(jì)的浪潮中拼博和發(fā)展，目前華科智源在電子測量儀器中享有良好的聲譽(yù)。華科智源取得全網(wǎng)商盟認(rèn)證，標(biāo)志著我們的服務(wù)和管理水平達(dá)到了一個(gè)新的高度。華科智源全體員工愿與各界有識之士共同發(fā)展，共創(chuàng)美好未來。