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氣相沉積法是指將兩種以上的氣態(tài)原材料導(dǎo)入到一個(gè)反應(yīng)器中,使原料相互之間發(fā)生碰撞并發(fā)生化學(xué)反應(yīng),從而制備一種新的材料,碳納米管增強(qiáng),再將其沉積到基體表面上。氣相沉積法優(yōu)點(diǎn)是反應(yīng)速度快、沉積均勻等特性使之應(yīng)用越來越普遍,常常用來制備核殼材料。研究者利用氣化后的氧化硅與氧化碳反應(yīng)生成β-碳化硅,然后將其均勻沉積在碳納米管表面,且包覆均勻完整,碳納米管增強(qiáng)料,對(duì)碳納米管實(shí)現(xiàn)表面功能化修飾。
碳納米管在促進(jìn)電子學(xué)的發(fā)展時(shí)面臨著兩個(gè)主要障礙,一是如何將碳納米管放置在合適的位置,二是如何將半導(dǎo)體和金屬性質(zhì)的碳納米管分開。我們并不清楚這些問題的解決是否會(huì)使碳納米管成為電子學(xué)在后硅時(shí)代的方向。但是盡管這些問題沒有成熟的解決方案,碳納米管,研究者們還是提出了一些想法。而另一個(gè)問題就不是這樣:如何得到均勻的電阻測(cè)量值。
碳納米管由于其突出的機(jī)械、電學(xué)以及光學(xué)性質(zhì)受到了廣泛關(guān)注。碳納米管諸多重要性質(zhì)主要由其管壁結(jié)構(gòu)所決定,在制備過程中保證碳納米管結(jié)構(gòu)的均一性顯得尤為重要。現(xiàn)有方法所制備的碳納米管通常是碳納米管的混合物,因此選擇性合成結(jié)構(gòu)單一的碳納米管或者碳納米管片段,單壁碳納米管,成為了納米碳材料和合成化學(xué)領(lǐng)域面臨的一個(gè)重大挑戰(zhàn)?;诤铣苫瘜W(xué)的自下而上合成策略,通過從環(huán)對(duì)苯撐碳納米環(huán)逐漸增長(zhǎng)成碳納米管,在控制碳納米管純度方面具有重要意義。
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