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1)可調(diào)充電電壓源
用來(lái)給電容器充電,實(shí)現(xiàn)連續(xù)可調(diào)的直流母線電壓,滿足動(dòng)態(tài)測(cè)試、短路電流的測(cè)試需求。
?輸入電壓380V±10%
?頻率50HZ;
?輸出電壓500~1500V可調(diào)(可多個(gè)電源組成)
?輸出電流10A;
?電壓控制精度1%
?電壓調(diào)整率<0.1%;
?紋波電壓<1%;
?工作溫度室溫~40℃;
?保護(hù)有過(guò)壓、過(guò)流、短路保護(hù)功能。
測(cè)試的IGBT參數(shù)包括:ICES(漏流)、BVCES(耐壓)、IGESF(正向門極漏流)、IGESR(反向門極漏流)、VGETH(門檻電壓/閾值)、VGEON(通態(tài)門極電壓)、VCESAT(飽和壓降)、ICON(通態(tài)集極漏流)、VF(二極管壓降)、GFS(跨導(dǎo))、rCE(導(dǎo)通電阻)等全直流參數(shù), 所有小電流指標(biāo)保證1%重復(fù)測(cè)試精度,封裝用IGBT測(cè)試儀價(jià)格, 大電流指標(biāo)保證2%以內(nèi)重復(fù)測(cè)試精度。01mA 柵極電壓VGE: 0V 6)柵極-發(fā)射極閾值電壓 VGEth: 1-10V±2%±0。
半導(dǎo)體元件全自動(dòng)測(cè)試系統(tǒng),可以元件在真正工作狀態(tài)下的電流及電壓,并測(cè)量重要參數(shù)的數(shù)據(jù),封裝用IGBT測(cè)試儀現(xiàn)貨供應(yīng),再與原出廠指標(biāo)比較,由此來(lái)判定元件的好壞或退化的百分比。每個(gè)電流模塊,都具有獨(dú)立的供電系統(tǒng),封裝用IGBT測(cè)試儀,以便在測(cè)試時(shí),提供內(nèi)部電路及電池組充電之用; 可選購(gòu)?fù)獠扛邏耗K,執(zhí)行關(guān)閉狀態(tài)參數(shù)測(cè)試如:各項(xiàng)崩潰電壓與漏電流測(cè)量達(dá)2KV。用戶能對(duì)舊品元件作篩選,留下可用元件,確實(shí)掌握設(shè)備運(yùn)轉(zhuǎn)的可靠度。
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