3.6VCES集射極截止電壓0~5000V集電極電流ICES：0.01～1mA±3%±0.001mA；1～10mA±2%±0.01mA；10～50mA±1%±0.1mA；集電極電壓VCES：0-5000V±1.5%±2V；*3.7 ICES集射極截止電流0.01～50mA集電極電壓VCES：50～500V±2%±1V；500～5000V±1.5%±2V；集電極電流ICES：0.001～1mA±3%±0.001mA；1～10mA±2%±0.01mA；10～150mA±1%±0.1mA；*3.8VCE(sat)飽和導(dǎo)通壓降0.001～10V集電極電流ICE：0-1600A集電極電壓VCEs：0.001～10V±0.5%±0.001V柵極電壓Vge：5～40V±1%±0.01V集電極電流ICE：0～100A±1%±1A；100～1600A±2%±2A；因此，測量大電流情況下的各個模塊實際技術(shù)參數(shù)，進(jìn)行跟蹤管理，可有效保障機(jī)車中間直流環(huán)節(jié)可靠運行。*3.9Iges柵極漏電流0.01～10μA柵極漏電流IGEs：0.01～10μA±2%±0.005μA柵極電壓Vge：±1Ｖ～40V±1%±0.1V；Vce=0V；*3.10VF正向特性測試0.1～5V二極管導(dǎo)通電壓Vf：0.1～5V±1%±0.01V電流IF：0～100A±2%±1A；100～1600A±1.5%±2A；

IGBT半導(dǎo)體器件測試系統(tǒng)的主要應(yīng)用領(lǐng)域概括如下：

?半導(dǎo)體元器件檢測中心——應(yīng)用本公司測試系統(tǒng)可擴(kuò)大檢測中心的檢測范圍、提高檢測效率，提升檢測水平，增加經(jīng)濟(jì)效益；

?半導(dǎo)體元器件生產(chǎn)廠 —— 應(yīng)用本公司測試系統(tǒng)可對半導(dǎo)體元器件生產(chǎn)線的成品進(jìn)行全參數(shù)的測試、篩選、分析，封裝用IGBT測試儀加工，以確保出廠產(chǎn)品的合格率；

?電子電力產(chǎn)品生產(chǎn)、檢修廠——應(yīng)用本公司測試系統(tǒng)可對所應(yīng)用到的半導(dǎo)體元器件，封裝用IGBT測試儀現(xiàn)貨供應(yīng)，尤其對現(xiàn)代新型IGBT大功率器件的全參數(shù)進(jìn)行智能化測試、篩選、分析，以確保出廠產(chǎn)品的穩(wěn)定性、可靠性；

?航天、領(lǐng)域 ——— 應(yīng)用本公司測試系統(tǒng)可對所應(yīng)用到的元器件，尤其對現(xiàn)代新型IGBT大功率器件的全參數(shù)進(jìn)行智能化測試、篩選、分析，以確保出廠產(chǎn)品的穩(wěn)定性、可靠性；

半導(dǎo)體元件除了本身功能要良好之外，其各項參數(shù)能否達(dá)到電路上的要求，必須定期測量，否則產(chǎn)品的質(zhì)量特性很難保證，尤其是較大的功率元件，封裝用IGBT測試儀廠家，因具有耗損性，易老化及效率降低，因不平衡導(dǎo)致燒毀，甚至在使用中會發(fā)生。所以對新產(chǎn)品及使用中的元件參數(shù)的篩選及檢查更為重要。 半導(dǎo)體元件的每一個參數(shù)，依其極性的不同，都須要一個的測量電路，封裝用IGBT測試儀，我公司所設(shè)計生產(chǎn)的半導(dǎo)體元件自動測試系統(tǒng)，具有一組繼電器形成的矩陣電路，依每個參數(shù)的定義，形成千變?nèi)f化的電路，再依元件的出廠規(guī)格加上額定的電流或電壓后，在極短的時間內(nèi)將所須要的數(shù)據(jù)量測出來，且有些參數(shù)從量測的數(shù)據(jù)經(jīng)快速運算即可得知其特性是否在規(guī)定范圍內(nèi)。2關(guān)斷：turnoff(tdoff,tf,Eoff,Ic,Poff)。

華科分立器件測試儀-封裝用IGBT測試儀由深圳市華科智源科技有限公司提供。深圳市華科智源科技有限公司是從事“IGBT測試儀,功率器件測試儀,首件檢測儀”的企業(yè)，公司秉承“誠信經(jīng)營，用心服務(wù)”的理念，為您提供更好的產(chǎn)品和服務(wù)。歡迎來電咨詢！聯(lián)系人：陳少龍?，F(xiàn)代新型IGBT大功率器件的全參數(shù)進(jìn)行智能化測試測試、篩選、分析，以確保出廠產(chǎn)品的穩(wěn)定性、可靠性。