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9)尖峰抑制電容用于防止關(guān)斷瞬態(tài)過(guò)程中的IGBT器件電壓過(guò)沖。?電容容量200μF?分布電感小于10nH?脈沖電流2kA ?工作濕度 13)被測(cè)器件旁路開(kāi)關(guān)被測(cè)安全接地開(kāi)關(guān),設(shè)備不運(yùn)行時(shí),被測(cè)接地。工作溫度室溫~40℃?工作濕度<70% 11)動(dòng)態(tài)測(cè)試?yán)m(xù)流二極管用于防止測(cè)試過(guò)程中的過(guò)電壓。?反向電壓 8000V(2只串聯(lián))?-di/dt大于2000A/μs?通態(tài)電流 1200A?壓降小于1V?浪涌電流大于20kA?反向恢復(fù)時(shí)間小于2μs?工作溫度室溫~40℃?工作濕度<70)安全工作區(qū)測(cè)試?yán)m(xù)流二極管?反向電壓12kV(3只串聯(lián))?-di/dt大于2000A/μS?通態(tài)電流1200A?壓降小于1V?浪涌電流大于20kA?反向恢復(fù)時(shí)間小于2μS?工作溫度室溫~40℃?工作濕度<70%
華科智源IGBT測(cè)試儀針對(duì) IGBT 的各種靜態(tài)參數(shù)而研制的智能測(cè)試系統(tǒng);自動(dòng)化程度高(按照操作人員設(shè)定的程序自動(dòng)工作),檢修用IGBT測(cè)試儀現(xiàn)貨供應(yīng),計(jì)算機(jī)可以記錄測(cè)試結(jié)果,檢修用IGBT測(cè)試儀批發(fā),測(cè)試結(jié)果可轉(zhuǎn)化為文本格式存儲(chǔ),測(cè)試方法靈活(可測(cè)試器件以及單個(gè)單元和多單元的模塊測(cè)試),安全穩(wěn)定(對(duì)設(shè)備的工作狀態(tài)進(jìn)行全程實(shí)時(shí)監(jiān)控并與硬件進(jìn)行互鎖),具有安全保護(hù)功能,檢修用IGBT測(cè)試儀,測(cè)試速度方便快捷。4MPa 電網(wǎng)電壓:AC220V±10%無(wú)嚴(yán)重諧波,三線(xiàn)制 電網(wǎng)頻率:50Hz±1Hz。
什么是大功率半導(dǎo)體元件?其用途為何?
凡是半導(dǎo)體元件如金屬氧化場(chǎng)效晶體管(MOSFET)、IGBT(INSULATED GATE B.TRANSISTOR)及TRIAC(可控硅)、SCR(晶閘管)、 GTO等各型閘流體與二極管(DI ODE)等,其工作電流與電壓乘積若大于1KW以上,檢修用IGBT測(cè)試儀加工,均可屬于大功率的范圍。1電壓源:220VAC±10%,50Hz/60Hz20ARMS。如下圖片所示。此類(lèi)元件多用于車(chē)船,工廠(chǎng)的動(dòng)力,光電及其他能源的轉(zhuǎn)換上。
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