光電探測器響應速度和反應帶寬介紹

響應速度可以用光生載流子的渡越時間表示，載流子的渡越時間外在的頻率響應的表現(xiàn)就是探測器的帶寬。光生載流子的渡越時間在光生電流變化中表現(xiàn)為兩部分：上升時間和下降時間。通常取上升時間和下降時間中的較大者衡量探測器的響應速度。決定探測器響應速度的因素主要有：

⑴、耗盡區(qū)載流子渡越時間；

⑵耗盡區(qū)外載流子擴散時間；

⑶光電二極管耗盡區(qū)電容：越大，響應速度就越慢。

光電探測器原理--應用

光電探測器是一種能夠?qū)⒐廨椛滢D(zhuǎn)換成電量的一個器件，它利用這個特性可以進行顯示及控制的功能。光電探測器種類繁多，不勝枚舉。原則上講，光電探測器價格，只要受到光照射后其物理性質(zhì)會發(fā)生變化的任何材料都可以用來制作光電探測器?，F(xiàn)在廣泛使用的光電探測器是利用光電效應工作的，超光譜光電探測器價格，光電效應分為兩類：內(nèi)光電效應和外光電效應。它的用途比較廣泛，主要應用在軍事及國名經(jīng)濟的各個領域上。

光電探測器工作原理

光電探測器的基本工作機理包括三個過程：(1)光生載流子在光照下產(chǎn)生;(2)載流子擴散或漂移形成電流;(3)光電流在放大電路中放大并轉(zhuǎn)換為電壓信號。當探測器表面有光照射時，如果材料禁帶寬度小于入射光光子的能量即Eg<hv，則價帶電子可以躍遷到導帶形成光電流。

當光在半導體中傳輸時，光波的能量隨著傳播會逐漸衰減，其原因是光子在半導體中產(chǎn)生了吸收。半導體對光子的吸收的吸收為本征吸收，本征吸收分為直接躍遷和間接躍遷。通過測試半導體的本征吸收光譜除了可以得到半導體的禁帶寬度等信息外，還可以用來分辨直接帶隙半導體和間接帶隙半導體。本征吸收導致材料的吸收系數(shù)通常比較高，由于半導體的能帶結構所以半導體具有連續(xù)的吸收譜。從吸收譜可以看出，紅外光電探測器價格，當本征吸收開始時，多通道光電探測器價格，半導體的吸收譜有一明顯的吸收邊。但是對于硅材料，由于其是間接帶隙材料，與三五族材料相比躍遷幾率較低，因而只有非常小的吸收系數(shù)，同時導致在相同能量的光子照射下在硅材料中的光的吸收深度更大。直接帶隙材料的吸收邊比間接帶隙材料陡峭很多，如圖 畫出了幾種常用半導體材料(如 GaAs、InP、InAs、Si、Ge、GaP 等材料)的入射光波長和光吸收系數(shù)、滲透深度的關系。

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