專注于引入新品推動行業(yè)創(chuàng)新的電子元器件分銷瑞泰威即日起備貨Mikroe的PIR Click board。PIR Click是一種熱釋電傳感器，支持一系列消費(fèi)電子產(chǎn)品和物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用的人體存在檢測。PIR Click board搭載KEMET Electronics的PL-N823-01 熱釋電紅外傳感器 (PIR)，支持通過玻璃或樹脂檢測人體。此款傳感器是辦公自動化、非接觸式開關(guān)、照明、空調(diào)和其他消費(fèi)品等應(yīng)用的理想解決方案。

瑞泰威供應(yīng)的Mikroe PIR Click board在檢測到人體發(fā)出的紅外輻射時(shí)，會產(chǎn)生電壓。低功耗傳感器是由移動的對象觸發(fā)，因此能夠在依賴于人體存在檢測的應(yīng)用中表現(xiàn)出節(jié)能特性。PIR Click board包括一個(gè)白色塑料菲涅爾濾光片，能夠過濾可見光，使傳感器能夠檢測到人體發(fā)出的紅外信號。板載PL-N823-01 PIR傳感器采用KEMET專有的壓電陶瓷材料和元件結(jié)構(gòu)，為使用樹脂或玻璃的產(chǎn)品提供了更大的設(shè)計(jì)自由度。

PIR Click board屬于Mikroe Click Board生態(tài)系統(tǒng)的一部分，其模塊化設(shè)計(jì)使得開發(fā)人員無需做任何硬件配置即可將任意Click board連接到標(biāo)準(zhǔn)mikroBUS插座。多功能的mikroBUS標(biāo)準(zhǔn)插座包含連接Mikroe的全系Click board所需的全部引腳，包括無線通信模塊、傳感器模塊和其他配件。

1. 像元尺寸

像元尺寸指芯片像元陣列上每個(gè)像元的實(shí)踐物理尺寸，通常的尺寸包括14um，10um， 9um ， 7um ，壓力傳感器ic， 6.45um ，3.75um 等。像元尺寸從某種水平上反映了芯片的對光的響應(yīng)才能，像元尺寸越大，可以接納到的光子數(shù)量越多，在同樣的光照條件和曝光時(shí)間內(nèi)產(chǎn)生的電荷數(shù)量越多。關(guān)于弱光成像而言，振動傳感器ic，像元尺寸是芯片靈活度的一種表征。

2. 靈活度

靈活度是芯片的重要參數(shù)之一，它具有兩種物理意義。一種指光器件的光電轉(zhuǎn)換才能，與響應(yīng)率的意義相同。即芯片的靈活度指在一定光譜范圍內(nèi)，光傳感器ic，單位曝光量的輸出信號電壓（電流），單位能夠?yàn)榧{安/勒克斯nA/Lux、伏/瓦（V/W）、伏/勒克斯（V/Lux）、伏/流明（V/lm）。另一種是指器件所能傳感的對地輻射功率（或照度），與探測率的意義相同，。單位可用瓦（W）或勒克斯（Lux）表示。

1995 年，由美國麻省理工學(xué)院和日本東北大學(xué)的兩個(gè)研究小組獨(dú)立發(fā)現(xiàn)，將兩個(gè)磁性電極層之間用極薄的絕緣層分開會產(chǎn)生很大的磁電阻效應(yīng)(室溫下達(dá)到11%)。這種由磁性層/絕緣層/磁性層構(gòu)成的結(jié)構(gòu)，稱為磁性隧道結(jié)(MTJ)。在MTJ 中，中間的絕緣層很薄(幾個(gè)納米)，使得可以有大量電子隧穿通過。通過隧道結(jié)的電流依賴于兩個(gè)磁性層的磁化強(qiáng)度矢量的相對取向。這種隧穿電流隨外磁場變化的效應(yīng)被稱為隧道磁電阻(TMR)效應(yīng)。隧道磁電阻效應(yīng)可以由Julliere 雙電流模型解釋。假定電子在隧穿過程中自旋不發(fā)生翻轉(zhuǎn)，并且隧穿電流正比于費(fèi)米面附近電子的態(tài)密度。當(dāng)MTJ兩側(cè)鐵磁層處于平行排列時(shí)，傳感器ic，左側(cè)的少子電子向右側(cè)的少子空態(tài)隧穿，左側(cè)的多子電子向右側(cè)的多子空態(tài)隧穿，MTJ 處于低阻態(tài)；當(dāng)MTJ兩側(cè)鐵磁層處于反平行排列時(shí)，左側(cè)的少子電子向右側(cè)的多子空態(tài)隧穿，而左側(cè)的多子電子向右側(cè)的少子空態(tài)隧穿，MTJ 呈現(xiàn)高阻態(tài)。

由于貼合TMR器件與超導(dǎo)磁放大器的低溫膠過厚導(dǎo)致TMR—超導(dǎo)磁放大器間距過大(50 μm)，使得TMR/超導(dǎo)復(fù)合式磁傳感器的靈敏度、探測精度較GMR/超導(dǎo)復(fù)合式磁傳感器、SQUID 等器件仍有明顯差距。理論計(jì)算表明，減小TMR—超導(dǎo)磁放大器間距將使得磁場放大倍數(shù)呈指數(shù)形式上升；若能將TMR—超導(dǎo)磁放大器間距降低至0.5 μm以內(nèi)，磁場放大倍數(shù)可接近1000 倍。今后可通過熱壓印等技術(shù)減小TMR—超導(dǎo)磁放大器間距，從而提高器件的靈敏度。