電容器的投切方式二

精度能達(dá)到0.5級，局放＜5pC@14.4kV，介質(zhì)損耗＜0.1%，雷電沖擊75kVAC，1.2/50μs，正負(fù)極性各 15 次

電子式無觸點(diǎn)可控硅投切電容器裝置（TSC）可控硅投切電容器，是利用了電子開關(guān)反應(yīng)速度快的特點(diǎn)。采用過零觸發(fā)電路，互感器電容器，檢測當(dāng)施加到可控硅兩端電壓為零時(shí)，發(fā)出觸發(fā)信號，可控硅導(dǎo)通。此時(shí)電容器的電壓與電網(wǎng)電壓相等，因此不會產(chǎn)生合閘涌流，解決了接觸器合閘涌流的問題。但是，可控硅在導(dǎo)通運(yùn)行時(shí)，可控硅結(jié)間會產(chǎn)生一伏左右的壓降，通常15KVAR三角形接法的電容器，額定電流22A，則一個(gè)可控硅消耗功率約為22W。如以一個(gè)150KVAR電容柜來算，運(yùn)行時(shí)可控硅投切裝置消耗的功率可達(dá)600W，而且都變成熱量，使機(jī)柜溫度升高。同時(shí)可控硅有漏電流存在，當(dāng)未接電容時(shí)，即使可控硅未導(dǎo)通，其輸出端也是高電壓。優(yōu)點(diǎn)：無涌流，無觸點(diǎn)，使用壽命長、維修少，互感器電容器公司，投切速度快（5ms內(nèi)）；缺點(diǎn)：價(jià)格高為接觸器的3倍、投切速度0.5s左右

使用薄膜電容需要注意什么

精度能達(dá)到0.5級，局放＜5pC@14.4kV，介質(zhì)損耗＜0.1%，雷電沖擊75kVAC，1.2/50μs，正負(fù)極性各 15 次。

答應(yīng)電流

由于薄膜電容器內(nèi)部阻抗較低、故會有較大的充電電流，特別是在電源ON-OFF時(shí)，會有較高的脈沖電流，此外電

容器用于反演電路和開關(guān)電路等高頻電路時(shí)，會有較大的有效值電流。當(dāng)電流超越答應(yīng)值規(guī)模時(shí)，會導(dǎo)致容量下降和開

路，或有效值電流引起電容發(fā)熱，使介質(zhì)耐壓功能劣化而導(dǎo)致電容器擊穿，乃至冒煙、起火。

答應(yīng)電流根據(jù)擊穿模式分紅脈沖電流（峰值電流）和接連電流（有效值電流）來考慮，當(dāng)運(yùn)用時(shí)需承認(rèn)這兩個(gè)電流

都在答應(yīng)規(guī)模內(nèi)。

1.1各種波形的有效值換算聯(lián)系，不同的波形有效值按下面的公式計(jì)算

1.2答應(yīng)電流與運(yùn)用頻率

由于不同類型的薄膜電容器所運(yùn)用的介質(zhì)種類不同，其損耗頻率特性也不同，因而不同類型的薄膜電容器在相同作業(yè)

頻率之下答應(yīng)有效值電流也不相同。特別在用于高頻時(shí)損耗加大，如超出答應(yīng)電流值運(yùn)用，會導(dǎo)致?lián)舸盁?、起火?/p>

安裝電容器需要注意的事宜

精度能達(dá)到0.5級，局放＜5pC@14.4kV，介質(zhì)損耗＜0.1%，雷電沖擊75kVAC，1.2/50μs，正負(fù)極性各 15 次。

1　電容器經(jīng)星形銜接后，用于高一級額外電壓，互感器電容器價(jià)格，且系中性點(diǎn)不接地時(shí)，電容器的外殼應(yīng)對地絕緣。

2　電容器設(shè)備之前，互感器電容器生產(chǎn)廠家，要分配一次電容量，使其相間平衡，偏差不超越總?cè)萘康?％。當(dāng)裝有繼電保護(hù)設(shè)備時(shí)還應(yīng)滿意運(yùn)轉(zhuǎn)時(shí)平衡電流差錯(cuò)不超越繼電保護(hù)動(dòng)作電流的要求。

3　對單個(gè)補(bǔ)償電容器的接線應(yīng)做到：對直接發(fā)動(dòng)或經(jīng)變阻器發(fā)動(dòng)的感應(yīng)電動(dòng)機(jī)，其進(jìn)步功率因數(shù)的電容能夠直接與電動(dòng)機(jī)的出線端子相銜接，兩者之間不要裝設(shè)開關(guān)設(shè)備或熔斷器。

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