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摘要 : 前面ASEMI半導(dǎo)體給大家介紹過很多關(guān)于我們整流橋和肖特基產(chǎn)品的芯片來源和材質(zhì),芯片在制作過程中有一個環(huán)節(jié)重要,這也是后一個環(huán)節(jié),那就是芯片測試。
前面ASEMI半導(dǎo)體給大家介紹過很多關(guān)于我們整流橋和肖特基產(chǎn)品的芯片來源和材質(zhì),芯片在制作過程中有一個環(huán)節(jié)重要,這也是后一個環(huán)節(jié),那就是芯片測試。
半導(dǎo)體的晶圓制程中,關(guān)于芯片的測試,其目的是為了快速了解它的體質(zhì),分出芯片的等級,那些屬于質(zhì)量不過關(guān)需要淘汰的,那些可以進(jìn)一步加工的。
,類似ASEMI半導(dǎo)體這種品牌較大的半導(dǎo)體企業(yè),每天制造的芯片達(dá)上萬個,測試的壓力是大。先出來的都是一塊完整的圓形狀晶圓片,然后進(jìn)行切割從而形成芯片。以ASEMI半導(dǎo)體整流橋為例,芯片從晶圓中出來后,就會進(jìn)入WaferTest的階段。這個階段的測試ASEMI半導(dǎo)體是采用KK設(shè)備--—健鼎一體化測試線來進(jìn)行測試的,把芯片分成好的/壞的這兩部分,壞的會直接被舍棄,如果這個階段壞片過多,基本會認(rèn)為是晶圓自身的良品率低下。
通過了WaferTest的階段之后,完整的晶圓就會開始切割環(huán)節(jié),切割后的芯片按照之前的結(jié)果分類。以ASEMI半導(dǎo)體為例,只有好的芯片會被送去封裝廠封裝。
封裝之后,芯片會被送去進(jìn)行FinalTest。在FinalTest后,還需要分類,刻字,檢查封裝,包裝等步驟。然后就可以出貨到市場。
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摘要 : 點(diǎn)接觸型二極管是在鍺或硅材料的單晶片上壓觸一根金屬針后,再通過電流法而形成的。
二極管型號按照構(gòu)造都有哪些分類?:⒈點(diǎn)接觸型二極管點(diǎn)接觸型二極管是在鍺或硅材料的單晶片上壓觸一根金屬針后,再通過電流法而形成的⒉鍵型二極管鍵型二極管是在鍺或硅的單晶片上熔接金或銀的細(xì)絲而形成的。⒊合金型二極管在N型鍺或硅的單晶片上,通過合金銦、鋁等金屬的方法制作PN結(jié)而形成的。⒋擴(kuò)散型二極管在高溫的P型雜質(zhì)氣體中,加熱N型鍺或硅的單晶片,使單晶片表面的一部變成P型,以此法PN結(jié)。因PN結(jié)正向電壓降小,適用于大電流整流。⒌臺面型二極管PN結(jié)的制作方法雖然與擴(kuò)散型相同,但是,只保留PN結(jié)及其必要的部分,把不必要的部分用藥品腐蝕掉⒍平面型二極管在半導(dǎo)體單晶片(主要地是N型硅單晶片)上,MUR2080CTR功放對管,擴(kuò)散P型雜質(zhì),利用硅片表面氧化膜的*作用,在N型硅單晶片上僅選擇性地擴(kuò)散一部分而形成的PN結(jié)。因此,不需要為調(diào)整PN結(jié)面積的藥品腐蝕作用⒎合金擴(kuò)散型二極管它是合金型的一種。合金材料是容易被擴(kuò)散的材料。把難以制作的材料通過巧妙地?fù)脚潆s質(zhì),MUR20100CT功放對管,就能與合金一起過擴(kuò)散,以便在已經(jīng)形成的PN結(jié)中獲得雜質(zhì)的恰當(dāng)?shù)臐舛确植?。⒏外延型二極管用外延面長的過程制造PN結(jié)而形成的二極管。制造時需要高超的技術(shù)。因能隨意地控制雜質(zhì)的不同濃度的分布,故適宜于制造高靈敏度的變?nèi)荻O管
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摘要 : ⑶泄漏電流 它是指整流二極管在高反向工作電壓下工作時,允許通過整流管的反向電流。反向電流越小,說明整流二極管的單向?qū)щ娦阅茉胶谩?⑷高工作頻率 它是指整流二極管能
⑶泄漏電流 它是指整流二極管在高反向工作電壓下工作時,允許通過整流管的反向電流。反向電流越小,說明整流二極管的單向?qū)щ娦阅茉胶谩?/p>
⑷高工作頻率
它是指整流二極管能正常工作的高頻率,選用時,功放對管,必須使二極管的工作頻率低于此值;如高于此值,整流二極管的單向?qū)щ娦允苡绊憽?/p>
(5)正向壓降
它實際是半導(dǎo)體的電阻形成的,MUR2060AC功放對管,它在電路當(dāng)中作為耗能元器,會消耗電路中的一部分功率,所以有一些電路設(shè)計當(dāng)中為效率,往往選擇正向壓降更低的二極管
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