廣州市茂美標(biāo)牌加工廠，座落于番禺區(qū)橋南街陳涌工業(yè)區(qū)，專注于腐蝕面板加工，腐蝕面板定制，機(jī)械控制面板定做，不銹鋼蝕刻面板加工，機(jī)械面板腐蝕定制，設(shè)備蝕刻面板加工，腐蝕機(jī)械面板定制，機(jī)箱設(shè)備面板定制、電子秤按鍵面板定做等，腐蝕設(shè)備面板加工廠，接單領(lǐng)域主要集中在廣州、深圳 、佛山 、東莞、中山、珠海、江門、肇慶、惠州等地，腐蝕設(shè)備面板加工，均可加工定制生產(chǎn)。產(chǎn)品還有腐蝕標(biāo)牌，不銹鋼直尺加工、鋁銘牌制作、不銹鋼銘牌制作、機(jī)械設(shè)備控制面板、亞克力標(biāo)牌等。制作工藝：UV印刷、噴漆、絲印、熱轉(zhuǎn)印、凹凸，沖壓、磨光、拉絲、電鍍、氧化、噴砂、激光、注塑、磨光、電鑄、腐蝕等一體化的大型**標(biāo)牌加工制作廠。

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浸泡式（Dip，也有稱為“多片直立浸泡式”）設(shè)備構(gòu)造相對(duì)簡(jiǎn)單、單套建造成本較低。能滿足相對(duì)較多片產(chǎn)品的同時(shí)減薄。設(shè)備裝置體積相較大，外圍容易產(chǎn)生沉淀物和白色粉末。蝕刻液的鼓泡均勻情況不易控制。注：浸泡式蝕刻減薄設(shè)備構(gòu)造等相關(guān)介紹，可參見《淺析LCD玻璃基板浸泡式蝕刻減薄系統(tǒng)的設(shè)備主要構(gòu)造和改進(jìn)》

噴淋式（Spray，也有稱為“側(cè)噴式”）

可以處理兩面不同蝕刻要求。蝕刻液可有效回收利用，相對(duì)成本較低。蝕刻產(chǎn)品表面易產(chǎn)生凹點(diǎn)（dimple），需要后續(xù)拋光處理。產(chǎn)品若未完全直立，由于壓力控制等原因，容易發(fā)生破片和蝕刻不均勻的現(xiàn)象。

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Dry etching（干蝕刻）將特定氣體置于低壓狀態(tài)下施以電壓，將其激發(fā)成各種不同的帶電荷離子、原子團(tuán)、分子以及電子（這種物質(zhì)狀態(tài)稱為Plasma）并利用這些解離后帶能量的反應(yīng)性的離子及原子團(tuán)，對(duì)特定層膜加以化學(xué)性的蝕刻及離子轟擊，達(dá)到膜層去除的一種蝕刻方式。

Dry etching中起作用的主要是radical和ion。Radical是電中性，因?yàn)榛瘜W(xué)性質(zhì)很活潑，所以和膜表面分子發(fā)生反應(yīng)，可達(dá)到膜層去除的作用。反應(yīng)生成物作為gas被排氣。

帶正電的ion被selfbias的負(fù)電位吸引幾乎垂直撞向基板，腐蝕設(shè)備面板加工哪家好，轟擊膜層表面的分子鍵合，促進(jìn)radical的化學(xué)反應(yīng)，并使表面產(chǎn)生的反應(yīng)物脫落。

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本實(shí)用新型涉及干法刻蝕技術(shù)，特別涉及一種干法刻蝕設(shè)備。

技術(shù)背景 圖I為現(xiàn)有干法刻蝕設(shè)備的結(jié)構(gòu)示意圖，如圖I所示，干法刻蝕設(shè)備包括反應(yīng)腔(Chamber) 5，設(shè)置于反應(yīng)腔(Chamber) 5上的墊板4、以及設(shè)置于反應(yīng)腔(Chamber) 5中的擋光板I?，F(xiàn)有的干法刻蝕設(shè)備在對(duì)玻璃(Glass)基板進(jìn)行刻蝕的工藝中，由于設(shè)備的上部電極結(jié)構(gòu)復(fù)雜以及設(shè)備老化等原因，經(jīng)常會(huì)出現(xiàn)墊板4斷裂以及其他零部件損壞而導(dǎo)致反應(yīng)腔(Chamber) 5真空泄露(Leak)的現(xiàn)象，由此，大氣會(huì)進(jìn)入反應(yīng)腔(Chamber) 5內(nèi)部，大氣中的氮?dú)獾扰c反應(yīng)腔(Chamber) 5內(nèi)的氣體混合，混合后氣體顏色會(huì)由藍(lán)色變成紅色或黃色，出現(xiàn)顏色異?！，F(xiàn)有結(jié)構(gòu)無(wú)法對(duì)等離子體(Plasma)顏色進(jìn)行監(jiān)控，導(dǎo)致在后工序才能發(fā)現(xiàn)，這會(huì)嚴(yán)重影響良品率。

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在集成電路制造工藝中，刻蝕是用化學(xué)或物理方法有選擇地從硅表面去除不需要的材料，在硅片上所需圖形的后圖形轉(zhuǎn)移的工藝步驟。干法蝕刻和濕法蝕刻是半導(dǎo)體制造中兩種基本的刻蝕工藝。干法蝕刻各向異性可以實(shí)現(xiàn)細(xì)微圖形的轉(zhuǎn)換，滿足越來(lái)越小的尺寸要求，已成為亞微米及以下尺寸主要的蝕刻方式。在實(shí)際生產(chǎn)中，公司追求產(chǎn)能和良率。就二氧化硅的干法蝕刻而言，需要優(yōu)化諸如蝕刻速率、均勻性、選擇比等蝕刻參數(shù)。因在蝕刻過(guò)程中，刻蝕的理想條件經(jīng)常漂移，工藝工程師不僅需設(shè)定優(yōu)化蝕刻效果的蝕刻菜單，還需在理想條件漂移時(shí)及時(shí)做出調(diào)整。本文選取了影響蝕刻效果的主要工藝參數(shù)，如射頻、壓力、蝕刻氣體等做正交試驗(yàn)，確定其具體的影響程度，為參數(shù)設(shè)置和調(diào)節(jié)提供依據(jù)。

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設(shè)備構(gòu)造主要材料和操作環(huán)境和其他蝕刻減薄設(shè)備一樣，為了抗酸腐蝕，設(shè)備主體大多采用PVC/PP耐酸腐蝕材料作為設(shè)備長(zhǎng)期暴露于腐蝕環(huán)境中的關(guān)鍵部位的表面材料。采用自動(dòng)化電氣控制等系統(tǒng)，水封閉模式。生產(chǎn)過(guò)程中減少人工操作環(huán)節(jié)，有效避免與蝕刻藥液的直接接觸，生產(chǎn)安全系數(shù)較高。頂噴式的主要構(gòu)造單元分為控制系統(tǒng)上下料裝置清洗單元蝕刻單元液體循環(huán)供給和過(guò)濾系統(tǒng).

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控制系統(tǒng)

頂噴式蝕刻減薄設(shè)備采用PLC電氣控制系統(tǒng)，自動(dòng)化集成程度較高。系統(tǒng)分為：控制層和操作管理層。通過(guò)智能設(shè)備和PLC去控制生產(chǎn)工藝參數(shù)，智能化的機(jī)械運(yùn)作，x大化的實(shí)現(xiàn)無(wú)人職守操作模式。

控制系統(tǒng)控制電機(jī)、氣缸和閥門等設(shè)備自動(dòng)化運(yùn)作，同時(shí)根據(jù)實(shí)際作業(yè)需求可實(shí)現(xiàn)自動(dòng)在線檢測(cè)管路壓力、流量和罐體液位，以及藥液濃度和產(chǎn)品在線厚度等，自動(dòng)調(diào)整生產(chǎn)參數(shù)，優(yōu)化即時(shí)生產(chǎn)需求。

上下料裝置

蝕刻產(chǎn)品通過(guò)特定的匣具轉(zhuǎn)載實(shí)現(xiàn)多片減薄，并可通過(guò)自動(dòng)或人工方式輸送蝕刻設(shè)備中，實(shí)現(xiàn)上料和下料。

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