半導(dǎo)體材料的電導(dǎo)率是由載流子濃度決定的。載流子就是由半導(dǎo)體原子 逸出來(lái)的電子及其留下的空位----- 空穴。電從原子中逃逸出來(lái)，必須吉兇服原子的束縛而做功，而光照正是向電子提供能量，空氣能安裝，使它有能力逃逸出來(lái)的一種形式。因此，空氣能熱泵，光照可以改變載流子的濃度，從而必變半導(dǎo)體的電導(dǎo)率。光電導(dǎo)器件主要有光敏電阻、光電二極管光電三極管等。1、光敏電阻這是一種半導(dǎo)體電阻。在沒(méi)有光照時(shí)，電阻很大;在一定波長(zhǎng)范圍的光照下，電阻值明顯變小。




















為更有效的利用由電子與空穴來(lái)產(chǎn)生電流，因此必須加入電場(chǎng)使自由電子與空穴分離進(jìn)而產(chǎn)生電流。1產(chǎn)生電場(chǎng)的方式很多如PN接面、金屬半導(dǎo)體接面等，其中1常用的方式為PN接面。提高自由電子濃度常用的方法是在硅中加入少量的五價(jià)原子，五價(jià)原子的四個(gè)價(jià)電子與硅鍵結(jié)后剩下一個(gè)價(jià)電子，使剩下的價(jià)電子游離只需要0.05ev，比原來(lái)的1.1ev小很多，空氣能公司，在室溫超過(guò)200度k時(shí)即可使所有雜質(zhì)產(chǎn)生自由電子，同樣在硅中加入少量的三價(jià)原子可以提高空穴濃度。




















光電效應(yīng)當(dāng)電子從外界獲得能量時(shí)將會(huì)跳到較高的能階，獲得的能量越多跳的能階也越高，電子處在較高的能階時(shí)并不穩(wěn)定，很快就會(huì)把獲得的能量釋放回到原來(lái)的能階。如果電子獲得的能量夠高就擺脫原子核的束縛成為自由電子，電子空出來(lái)的位置則稱為空穴。自由電子可能會(huì)因?yàn)槟Σ粱蚺鲎驳纫蛩負(fù)p失能量，瓊海空氣能，后受到空穴的吸引而復(fù)合。例如，硅的外層電子要成為自由電子需要吸收1.1ev的能量，當(dāng)硅外層電子吸收到的光能量超過(guò)1.1ev時(shí)將會(huì)產(chǎn)生自由電子及空穴

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