在硅中加入五價原子后稱之為N型半導體，加入三價原子后稱之為P型半導體。N型半導體及P型半導體雖然帶有自由電子或空穴但本身仍然保持電中性，如果N型半導體及P型半導體內(nèi)雜質(zhì)濃度均勻分布則內(nèi)部沒有電場存在。若將N型半導體及P型半導體接和在一起，會因為兩邊自由電子與空穴的濃度不同產(chǎn)生擴散。N型半導體中自由電子濃度較高，太陽能優(yōu)勢在哪，因此自由電子由N型半體向P型半導體擴散，同樣的空穴會由P型半導體向N型半導體擴散。


















常用的光電效應轉(zhuǎn)換器件有光敏電阻、光電倍增器、光電池、PIN管、CCD等。光電倍增器是把微弱的輸入轉(zhuǎn)換為電子，并使電子獲得倍增的電真空器件。當光信號強度發(fā)生變化時，陰極發(fā)射的光電子數(shù)目相應變化，由于各倍增極的倍增因子基本上保持常數(shù)，所以陽極電流亦隨光信號的變化而變化，定安太陽能，此即光電倍增管的簡單工作過程。由此可見，光電倍增管的性能主要由光陰極、倍增極及極間電壓決定。光電陰極受強光照射后，由于發(fā)射電子的速率很高，光電陰極內(nèi)部來不及重新補充電子，因此使光電倍增管的靈敏度下降。









稱之為光生電子空穴對(light-generatedelectron-holepairs)。電子空穴對的數(shù)目越多導電的效果也越好，太陽能**排名，因為光使得導電效果變好的現(xiàn)象稱之為光導效應(photoconductiveeffect)。自由電子與空穴的多寡對電氣特性有很大的影響，越多的自由電子與空穴可以使導電性增加，同時也可以使輸出電流增加，酒店式太陽能熱水工程，因此可以推測陽光越強時生成的自由電子與空穴越多，則輸出電流也越大。然而如果只是單純的產(chǎn)生自由電子與空穴，將會因為摩擦及碰撞等因素失去能量，后自由電子會與空穴復合而無法利用。

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