擴(kuò)散硅壓力傳感器的基本原理

壓力傳感器的制造中一般利用集成電路平面工藝，用雜志擴(kuò)散或離子注入的方法形成電阻器。擴(kuò)散層被用來(lái)作為應(yīng)力或應(yīng)變敏感的電阻器，電流邊與擴(kuò)散層被用來(lái)作為應(yīng)力或應(yīng)變敏感的電阻器，電流便與擴(kuò)散層表面平行流過(guò)電阻器。在壓力傳感器的設(shè)計(jì)。制造時(shí)，需要了解不同溫度下硅擴(kuò)散層的壓阻特性，選擇合適的擴(kuò)散條件，選用一定型號(hào)、晶向的擴(kuò)散電阻以獲得較高的靈敏度和曉得靈敏度系數(shù)，力求使壓力傳感器有良好的性能。

擴(kuò)散層的平均壓阻系數(shù)：擴(kuò)散層中雜質(zhì)往往呈誤差函數(shù)（恒定表面源條件下）或余誤差函數(shù)（恒定表面濃度條件）分布。也就是說(shuō)，表面雜質(zhì)濃度高，電流便呈現(xiàn)不均勻分布。雖然應(yīng)力在電阻的縱剖面是均勻分布的，而壓阻系數(shù)取決于雜質(zhì)濃度。以此在擴(kuò)散層上電阻的改變的百分量是不同的。這又使擴(kuò)散層中電流在縱向中心分布并造成壓阻值和應(yīng)力之間的非線性。

擴(kuò)散層硅的電阻溫度特性與壓力傳感器的熱零點(diǎn)漂移以及熱靈敏度有密切的關(guān)系。

擴(kuò)散硅壓力傳感器

硅傳感器，是用于醫(yī)學(xué)、軍事與航空航天、工業(yè)和汽車應(yīng)用?；驹硎抢冒雽?dǎo)體的壓阻效應(yīng)和微機(jī)械加工技術(shù)，在單晶硅片的特定晶向上，用光刻、擴(kuò)散等半導(dǎo)體工藝制做一惠斯登電橋，形成敏感膜片，當(dāng)受到外力作用時(shí)產(chǎn)生微應(yīng)變，電阻率發(fā)生變化，使橋臂電阻發(fā)生變化（一對(duì)變大一對(duì)變?。┰诩?lì)電壓信號(hào)輸出，經(jīng)過(guò)計(jì)算機(jī)溫度補(bǔ)償、激光調(diào)阻、信號(hào)放大等處理手段和嚴(yán)格的裝配檢測(cè)、標(biāo)定等工藝，生產(chǎn)出具有標(biāo)準(zhǔn)輸出信號(hào)的壓力變送器.

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壓力傳感器

壓力變送器主要特點(diǎn)抗過(guò)載和抗沖擊能力強(qiáng)，過(guò)壓可達(dá)量程的數(shù)倍，甚至用硬物直接敲打測(cè)量元件也不致使其損壞，且對(duì)測(cè)量精度毫無(wú)影響；穩(wěn)定性高，每年優(yōu)于0.1%滿量程，這個(gè)技術(shù)指標(biāo)已達(dá)到智能 型壓力儀表水平；溫度漂移小，由于取消了壓力測(cè)量元件中的中介液，因而傳感器不僅獲得了很高的 測(cè)量精度，且受溫度梯度影響；壓力變送器適用性廣、安裝維護(hù)方便、可任意位置安裝。

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