制作光敏電阻的材料主要有硅、鍺、硫化1鎘、銻化銦、硫化鉛、硒化鎘、硒化鉛等。硫化1鎘光敏電阻對可見光敏感，用硫1化鎘單晶制造的光敏電阻對X射線、γ射線也敏感；硫化鉛和銻化銦對紅線外線光敏感。利用這些光敏電阻可以制成各種光探測器。感光面積大的光敏電阻，太陽能集熱工程，可以獲得較大的明暗電阻差。如國產(chǎn)625-A型硫化1鎘光敏電阻，三亞太陽能，其光照電阻小于50千歐，暗電阻大于50兆歐。2、光電二極管光電二極管的管芯也是一個PN結(jié)，只是結(jié)面積比普通二極管大，便于接收光線。




















光電控制器件----用作光電開關等光電控制設備的轉(zhuǎn)換器件。三、半導體發(fā)光器件半導體發(fā)光器件是一種將電能轉(zhuǎn)換成光能的器件。它包括發(fā)光二極管、紅外光源、半導體發(fā)光數(shù)字管等。1、發(fā)光二極管發(fā)光二極管的管芯也是一個PN結(jié)，太陽能優(yōu)勢在哪，并具有單向?qū)щ娦?。PN結(jié)加上正向電壓時，電子由N區(qū)渡越(擴散)到空間電荷區(qū)與空穴復合而釋放出能量。這些能量大部分以發(fā)光的形式出現(xiàn)，因此，可以直接將電能轉(zhuǎn)換成光能。

如果入射光強度太高，導致器件內(nèi)電流太大，以至于電陰極和倍增極因發(fā)射二分解，就會造成光電倍增管的永1久性波壞。因此，平板式太陽能，使用光電倍增管時，應避免強光直接入射。光電倍增管一般用來測弱光信號。光電池是把光能直接變成電能的器件，可作為能源器件使用，如衛(wèi)1星上使用的太陽能電池。它也可作為光電子探測器件。光電二極管有耗盡層光電二極管和雪崩光電二極管兩種。半導體pn結(jié)區(qū)附近成為耗盡層，該層的兩側(cè)是相對高的空間電荷區(qū)，而耗盡層內(nèi)通常情況下并不存在電子和空穴。

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