③ 爐內(nèi)氣氛

在燒成中硅碳棒與很多燒成物揮發(fā)出來的化學(xué)物質(zhì)之間的會發(fā)生反應(yīng)，如果與水、氫、氮、硫、鹵素等氣體及熔融的鋁、堿、鹽、熔融金屬、金屬氧化物接觸的話，也會發(fā)生反應(yīng)、腐蝕或氧化現(xiàn)象。

④窯爐運(yùn)行方式

硅碳棒在連續(xù)式窯爐與間歇式窯爐中，山東硅碳棒廠家，前者的壽命較長。硅碳棒在使用中表面氧化生成二氧化硅薄膜，長時間使用使二氧化硅皮膜增加，硅碳棒阻值也隨之增加。二氧化硅薄膜在結(jié)晶臨界點(diǎn)（270℃）附近發(fā)生異常膨脹、收縮。因在間歇式窯爐中間斷使用總在此溫度上下浮動，所以反復(fù)破二氧化硅薄膜，硅碳棒電熱元件，加速氧化。因此停電爐溫降至室溫時經(jīng)常急劇增加電阻。

⑤ 接線方法

如果硅碳棒阻值不同，串聯(lián)時電阻高的硅碳棒負(fù)荷較集中，易導(dǎo)致某一根硅碳棒的電阻快速增加，壽命變短。硅碳棒一般是串、并聯(lián)接線結(jié)合使用。建議采用2根串聯(lián)為一組后多組并聯(lián)。特別當(dāng)爐內(nèi)溫度超過1350℃時必須并聯(lián)。三相接線時建議使用開放三角形接線。

硅碳棒表面負(fù)荷

　　表面負(fù)荷密度指棒的發(fā)熱部單位表面積所允許承載的額定功率。

　　表面負(fù)荷密度=額定功率（W）/ 發(fā)熱部表面積（cm2）

　　實(shí)踐證明：負(fù)荷密度大則發(fā)熱體表面溫度與爐膛溫度之差也大。負(fù)荷密度大則棒體表面溫度高，電阻增長快，SIC棒的壽命短。

硅碳棒元件的接線方法，可采用并聯(lián)、串聯(lián)、角形、星形以及其它形式的接線方式;但是并聯(lián)優(yōu)越于串聯(lián)，并聯(lián)可以調(diào)節(jié)負(fù)荷不平衡的因素，而多支串聯(lián)則加重了不平衡的因素，提高了工作電壓。為了延長硅碳棒元件的壽命、保證安全使用，應(yīng)避免采用多支串聯(lián)。

我們所有的硅碳棒生產(chǎn)廠家為了使每支硅碳棒都能處于正常而理想的工作狀態(tài)，安裝前對整批硅碳棒測定其電阻值，將其分類，電阻值相近的裝在同一調(diào)整區(qū)，使之工作電阻相近。

公司**生產(chǎn)電爐、不同規(guī)格的等直徑硅碳棒， 槽型棒 U型棒 槍型棒 門型棒 U型直角硅碳棒等各種異形硅碳棒，質(zhì)量穩(wěn)定，價格優(yōu)惠。

電能是一種清潔的能源，以電能為能源的電阻爐型殼焙燒爐具有溫度均勻、控溫準(zhǔn)確、熱效率高、清潔無污染等諸多優(yōu)點(diǎn)。

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