三、性能參數(shù)：純度：高質(zhì)量的ITO靶材通常要求有99.99%（4N）至99.999%（5N）的高純度。純度越高，雜質(zhì)越少，靶材產(chǎn)生的薄膜缺陷也相應(yīng)減少。晶體結(jié)構(gòu)：ITO靶材一般具有立方晶系的結(jié)構(gòu)，晶格參數(shù)通常在10.118?左右。晶體結(jié)構(gòu)的完整性會直接影響到薄膜的質(zhì)量。熱導(dǎo)率：ITO靶材的熱導(dǎo)率大約在20-30W/(m·K)之間。較高的熱導(dǎo)率有利于濺射過程中熱量的迅速傳導(dǎo)和分散，減少靶材損耗。電導(dǎo)率：ITO材料的電導(dǎo)率高，一般為10^3-10^4S/cm，這使其成為制作透明導(dǎo)電薄膜的推薦材料。磁性：純度較高的ITO靶材通常表現(xiàn)出較弱的磁性，這對于靶材在濺射過程中的穩(wěn)定性是有利的。靶材的平均粒徑控制在1-5μm以內(nèi)，保證濺射過程中的均勻性。密度一般接近理論密度的95%以上，助于提高濺射效率和薄膜的質(zhì)量。銅靶材在半導(dǎo)體制造中用于沉積導(dǎo)電層。中國澳門ITO靶材廠家

基于鍺銻碲化物的相變存儲器(PCM)顯示出***的商業(yè)化潛力,是NOR型閃存和部分DRAM市場的一項(xiàng)替代性存儲器技術(shù)，不過,在實(shí)現(xiàn)更快速地按比例縮小的道路上存在的挑戰(zhàn)之一,便是缺乏能夠生產(chǎn)可進(jìn)一步調(diào)低復(fù)位電流的完全密閉單元。降低復(fù)位電流可降低存儲器的耗電量,延長電池壽命和提高數(shù)據(jù)帶寬,這對于當(dāng)前以數(shù)據(jù)為中心的、高度便攜式的消費(fèi)設(shè)備來說都是很重要的特征。TbFeCo/AI結(jié)構(gòu)的Kerr旋轉(zhuǎn)角達(dá)到58，而TbFeCofFa則可以接近0.8。經(jīng)過研究發(fā)現(xiàn)，低磁導(dǎo)率的靶材高交流局部放電電壓l抗電強(qiáng)度。陜西ITO靶材推薦廠家通過控制熔煉溫度和鑄造速度，可以獲得具有均勻微觀結(jié)構(gòu)和優(yōu)良物理特性的靶材。

其常見的靶材及其應(yīng)用：如碲化銦(IndiumSelenide，InSe)靶材：碲化銦是一種半導(dǎo)體材料，具有優(yōu)異的光電性能和可調(diào)諧的能帶結(jié)構(gòu)。它被廣泛應(yīng)用于太陽能電池、光電二極管、光伏探測器、紅外光電探測器等器件的制備中。如碲化鎘(CadmiumSelenide，CdSe)靶材：碲化鎘是一種半導(dǎo)體材料，具有高效的光電轉(zhuǎn)換效率和優(yōu)異的光學(xué)性能。它被廣泛應(yīng)用于太陽能電池、光電傳感器、藍(lán)光發(fā)光二極管等器件的制備中。如氧化銦錫(IndiumTinOxide，ITO)靶材：氧化銦錫是一種具有透明導(dǎo)電性的材料，被廣泛應(yīng)用于太陽能電池、液晶顯示器、觸摸屏等器件的制備中。如銅銦鎵硒(CopperIndiumGalliumSelenide，CIGS)靶材：銅銦鎵硒是一種多元化合物材料，是制備高效太陽能電池的重要材料之一。它具有高吸收系數(shù)、較高的轉(zhuǎn)化效率和穩(wěn)定性，是一種具有潛力的太陽能電池材料。

靶坯是高速離子束流轟擊的目標(biāo)材料，屬于濺射靶材的**部分，涉及高純金屬、晶粒取向調(diào)控。在濺射鍍膜過程中，靶坯被離子撞擊后，其表面原子被濺射飛散出來并沉積于基板上制成電子薄膜。背板主要起到固定濺射靶材的作用，涉及焊接工藝。 按材質(zhì)分類，靶材可分為常規(guī)金屬靶材，貴金屬靶材，稀土金屬靶材，非金屬靶材，合金濺射靶材，陶瓷濺射靶材等。按外形尺寸分，靶材可分為圓柱形、長方形、正方形板靶和管靶。靶材的制備工藝按金屬、非金屬類區(qū)別，制備過程中除嚴(yán)格控制成分、尺寸之外，對材料的純度、熱度處理?xiàng)l件及成型加工方法等亦需嚴(yán)格控制。靶材的制備方法主要有熔煉法與粉末冶金法。對于某些金屬靶材，熔煉和鑄造是關(guān)鍵的制備步驟。

此外密切關(guān)注靶材在濺射過程中的行為，如溫度變化、靶材消耗速率等，可以幫助進(jìn)一步提升薄膜的質(zhì)量和性能。五、存儲與保養(yǎng)：1.存儲條件：-ITO靶材應(yīng)存放在干燥、清潔、溫度穩(wěn)定的環(huán)境中，以防止因濕度和溫度變化導(dǎo)致的物理結(jié)構(gòu)和化學(xué)成分的變化。-應(yīng)避免靶材與腐蝕性氣體和液體接觸，因此，密封包裝是存儲時的好選擇。2.防塵措施：-在搬運(yùn)和存放過程中，需要確保靶材表面不被灰塵和其他污染物覆蓋，以免影響濺射效果。使用無塵布或**保護(hù)膜覆蓋靶材表面是一種有效的方法。3.溫度控制：-盡管ITO靶材穩(wěn)定性好，但極端溫度依然會影響其性能。理想的存儲溫度通常在15至25攝氏度之間。對靶材進(jìn)行表面處理可以提高其性能，例如提高耐腐蝕性或改變表面的電學(xué)特性。甘肅AZO靶材價錢

稀土元素具有獨(dú)特的光學(xué)和磁性特性，使得相關(guān)靶材在特定應(yīng)用中非常有價值。中國澳門ITO靶材廠家

研究直流磁控反應(yīng)濺射ITO膜過程中ITO靶材的毒化現(xiàn)象,用XRD、EPMA、LECO測氧儀等手段對毒化發(fā)生的機(jī)理進(jìn)行分析,并對若干誘導(dǎo)因素進(jìn)行討論,研究表明ITO靶材毒化是由于In2O3。主相分解為In2O造成的,靶材性能及濺射工藝缺陷都可能誘導(dǎo)毒化發(fā)生.ITO薄膜作為一種重要的透明導(dǎo)電氧化物半導(dǎo)體材料，因具有良好的導(dǎo)電性能及光透射率廣泛應(yīng)用于液晶顯示、太陽能電池、靜電屏蔽、電致發(fā)光等技術(shù)中，用氧化銦+氧化錫燒結(jié)體作為靶材，直流磁控反應(yīng)濺射法制備ITO薄膜與用銦錫合金靶相比，具有沉積速度快，膜質(zhì)優(yōu)良，工藝易控等優(yōu)點(diǎn)成為目前的主流?但是，此法成膜過程中會經(jīng)常發(fā)生??靶材表面黑色化，生成黑色不規(guī)則球狀節(jié)瘤，本文稱此現(xiàn)象為??靶材毒化，毒化使濺射速率下降，膜質(zhì)劣化，迫使停機(jī)清理靶材表面后才能繼續(xù)正常濺射，嚴(yán)重影響了鍍膜效率。中國澳門ITO靶材廠家