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等離子拋光技術(shù)是否能夠?qū)崿F(xiàn)樣件表面微觀整平,利用離子放電原理,使放電通道更多的是在微觀凸起的位置形成,則微觀凸起位置的材料優(yōu)先去除,表面粗精度降低。一定條件下拋光所能達(dá)到的粗糙度值取決于放電所形成的坑痕的深度,坑痕深度越小,粗糙度值越小。對(duì)于拋光開始階段呈現(xiàn)出的粗糙度快速下降趨勢(shì),是因?yàn)樵趻伖獾那?分鐘,由于樣件表面存在明顯凹凸不平的狀態(tài),而凸起的位置電場(chǎng)強(qiáng)度大,因此放電通道更多地選擇在凸起的位置形成,粗糙度下降速度快,隨著拋光時(shí)間的延長(zhǎng),樣件凹凸不平的狀態(tài)得到改善,放電通道更多在微觀凸起位置形成的趨勢(shì)減弱,因此粗糙度下降的速度減小。
拋光設(shè)備要實(shí)現(xiàn)全自動(dòng)無人生產(chǎn)就必須解決上下掛問題、將掛具從拋光設(shè)備掛架拿取問題。因?yàn)榈入x子拋光產(chǎn)品都是靠掛具上的不銹性鋼絲彈緊在掛具上面的、解決上下掛問題就得解決怎樣通過機(jī)構(gòu)設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)自動(dòng)裝夾。將掛具從拋光設(shè)備掛架拿取問題可以使用機(jī)械手來實(shí)現(xiàn)拿取,也可以通過機(jī)構(gòu)設(shè)計(jì)、讓整個(gè)掛架移出拋光機(jī)外面來抓取掛具、再移回拋光機(jī)里面。
拋光設(shè)備中電極的形狀也會(huì)影響拋光質(zhì)量。電極的形狀會(huì)直接影響等離子體的產(chǎn)生和分布,從而影響拋光效果。因此,在操作拋光設(shè)備時(shí),需要根據(jù)不同的拋光材料和工藝參數(shù)選擇合適的電極形狀,以獲得的拋光效果。拋光設(shè)備中的前處理也會(huì)影響拋光質(zhì)量。前處理包括去除表面污染物和氧化物,以及表面磨削和腐蝕等步驟。前處理不充分或過度會(huì)影響拋光質(zhì)量。因此,在操作拋光設(shè)備時(shí),需要對(duì)拋光材料進(jìn)行適當(dāng)?shù)那疤幚?,以獲得的拋光效果。
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