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近年來,無鉛壓電陶瓷新體系的構(gòu)建、壓電鐵電性能的強化以及相變機制的研究取得了長足的進步,這為無鉛壓電陶瓷的實用化奠定了實踐和理論基礎(chǔ).對于BNT基及KNN基陶瓷來說,經(jīng)過細致的組分篩選,可以獲得退極化溫度高、壓電性能優(yōu)良且溫度穩(wěn)定性好的陶瓷配方,以用于制作換能器、傳感器等器件.表9列出了部分無鉛壓電陶瓷器件.由表9可知,壓電陶瓷條工廠,選取合適的材料參數(shù),可以獲得性能良好的無鉛器件;部分無鉛壓電陶瓷器件具有可比擬于鉛基器件的性能,在一些中低端領(lǐng)域有潛在的實用性.7 研究展望近年來,無鉛壓電陶瓷的研究和開發(fā)取得了長足進步,獲得了一些性能良好的無鉛壓電陶瓷體系,部分配方在某些領(lǐng)域具有了一定的實用化前景.相
比于鉛基PZT陶瓷,無鉛壓電陶瓷在晶體結(jié)構(gòu)、電子
結(jié)構(gòu)以及相變特性等方面具有自身的特點.
2.
介電陶瓷:
介電陶瓷是電子陶瓷中產(chǎn)量大的一支,主要用在制作電容器,傳統(tǒng)的電容器包括了溫度補償型,高K型與半導(dǎo)型。由於目前電子元件追求小型化,因此將多層的電容做積層的串連,成為積層電容器,大量的以SMT(表面黏著技術(shù))使用在印刷電路版上。而利用陶瓷介電性制成的高頻共振元件,則運用在大哥大電話,位星通訊等高頻通訊的領(lǐng)域,在講究個人通訊的今日,海口壓電陶瓷條,有無窮的潛力。介電陶瓷中的鐵電陶瓷具有極高的介電系數(shù)與自發(fā)性極化,利用其高介電性,可以應(yīng)用在高容量DRAM(動態(tài)隨機記體)的制造中。例如1996年日本三菱公司發(fā)表以BST為基礎(chǔ)的4Gb容量DRAM,具有極高的商業(yè)潛力,壓電陶瓷條生產(chǎn)工廠,利用自發(fā)性極化,可以作為非揮發(fā)性記憶體,未來可能取代硬碟,成為大容量IC記憶體的新寵兒。
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