LED芯片的制造工藝流程
LED芯片的制造工藝流程：

外延片→清洗→鍍透明電極層→透明電極圖形光刻→腐蝕→去膠→平臺(tái)圖形光刻→干法刻蝕→去膠→退火→SiO2沉積→窗口圖形光刻→SiO2腐蝕→去膠→N極圖形光刻→預(yù)清洗→鍍膜→剝離→退火→P極圖形光刻→鍍膜→剝離→研磨→切割→芯片→成品測(cè)試。

其實(shí)外延片的生產(chǎn)制作過(guò)程是非常復(fù)雜的，在展完外延片后，下一步就開(kāi)始對(duì)LED外延片做電極(P極，N極)，接著就開(kāi)始用激光機(jī)切割LED外延片(以前切割LED外延片主要用鉆石刀)，制造成芯片后，led模組廠家，在晶圓上的不同位置抽取九個(gè)點(diǎn)做參數(shù)測(cè)試：

1、主要對(duì)電壓、波長(zhǎng)、亮度進(jìn)行測(cè)試，能符合正常出貨標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)的晶圓片再繼續(xù)做下一步的操作，如果這九點(diǎn)測(cè)試不符合相關(guān)要求的晶圓片，就放在一邊另外處理。

2、晶圓切割成芯片后，100%的目檢(VI/VC)，uv led模組廠家，操作者要使用放大30倍數(shù)的顯微鏡下進(jìn)行目測(cè)。

3、接著使用全自動(dòng)分類機(jī)根據(jù)不同的電壓，波長(zhǎng)，uv led模組多少錢，亮度的預(yù)測(cè)參數(shù)對(duì)芯片進(jìn)行全自動(dòng)化挑選、測(cè)試和分類。

4、蕞后對(duì)LED芯片進(jìn)行檢查(VC)和貼標(biāo)簽。芯片區(qū)域要在藍(lán)膜的中心，藍(lán)膜上蕞多有5000粒芯片，但必須保證每張藍(lán)膜上芯片的數(shù)量不得少于1000粒，芯片類型、批號(hào)、數(shù)量和光電測(cè)量統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)記錄在標(biāo)簽上，附在蠟光紙的背面。

LED芯片發(fā)展歷程
我國(guó)LED芯片發(fā)展歷程

2003年6月中國(guó)科技部首i次提出我國(guó)發(fā)展半導(dǎo)體照明，標(biāo)志著我國(guó)半導(dǎo)體照明項(xiàng)目正式啟動(dòng)。

2006年的“十一五”將半導(dǎo)體照明工程作為國(guó)家的一個(gè)重大工程進(jìn)行推動(dòng)，在國(guó)家政策和資金的傾斜支持下，2010年我國(guó)LED產(chǎn)業(yè)規(guī)模超1500億元。

2011年國(guó)家發(fā)改委正式發(fā)布中國(guó)淘汰白熾燈的公告及路線圖，明確提出2016年將全i面禁止白熾燈的銷售。2011年至2016年為淘汰白熾燈的過(guò)渡期，同時(shí)也是LED照明行業(yè)的快速發(fā)展期。

中國(guó)LED產(chǎn)業(yè)起步階段，芯片主要依賴進(jìn)口。近年來(lái)，在國(guó)家政策支持下，我國(guó)LED芯片廠商加大研發(fā)投入，國(guó)內(nèi)LED芯片行業(yè)發(fā)展迅速，產(chǎn)能逐漸向中國(guó)大陸轉(zhuǎn)移，2017年國(guó)內(nèi)LED芯片供過(guò)于求苗頭初現(xiàn)，主流芯片廠開(kāi)始轉(zhuǎn)向高i端產(chǎn)能并進(jìn)行擴(kuò)產(chǎn)。

LED 外延片工藝流程如下：

襯底 - 結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)- 緩沖層生長(zhǎng)- N型GaN 層生長(zhǎng)- 多量i子阱發(fā)光層生- P 型GaN 層生長(zhǎng)- 退火- 檢測(cè)（光熒光、X 射線） - 外延片；

外延片- 設(shè)計(jì)、加工掩模版- 光刻- 離子刻蝕- N 型電極（鍍膜、退火、刻蝕） - P 型電極（鍍膜、退火、刻蝕） - 劃片- 芯片分檢、分級(jí)

具體介紹如下：

固定：將單晶硅棒固定在加工臺(tái)上。

切片：將單晶硅棒切成具有精i確幾何尺寸的薄硅片。此過(guò)程中產(chǎn)生的硅粉采用水淋，產(chǎn)生廢水和硅渣。

退火：雙工位熱氧化爐經(jīng)氮?dú)獯祾吆螅眉t外加熱至300~500℃，硅片表面和氧氣發(fā)生反應(yīng)，使硅片表面形成二氧化硅保護(hù)層。

倒角：將退火的硅片進(jìn)行修整成圓弧形，led模組，防止硅片邊緣破i裂及晶格缺陷產(chǎn)生，增加磊晶層及光阻層的平坦度。此過(guò)程中產(chǎn)生的硅粉采用水淋，產(chǎn)生廢水和硅渣。

分檔檢測(cè)：為保證硅片的規(guī)格和質(zhì)量，對(duì)其進(jìn)行檢測(cè)。此處會(huì)產(chǎn)生廢品。

研磨：用磨片i劑除去切片和輪磨所造的鋸痕及表面損傷層，有效改善單晶硅片的曲度、平坦度與平行度，達(dá)到一個(gè)拋光過(guò)程可以處理的規(guī)格。此過(guò)程產(chǎn)生廢磨片i劑。

清洗：通過(guò)有機(jī)i溶劑的溶解作用，結(jié)合超聲波清洗技術(shù)去除硅片表面的有機(jī)雜質(zhì)。此工序產(chǎn)生有機(jī)廢氣和廢有機(jī)i溶劑。

RCA清洗：通過(guò)多道清洗去除硅片表面的顆粒物質(zhì)和金屬離子。

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