吸入四氟化碳的后果與濃度有關(guān)，包括頭1痛、惡心、頭昏眼花及心血1管系統(tǒng)的破壞(主要是心臟)。長時間接觸會導(dǎo)致嚴重的心臟破壞。因為導(dǎo)致臭氧層破壞的是氟氯烴中的氯原子，它被紫外線輻射擊中時會分離。碳-氟鍵比較強，因此分離的可能性比較低。在電子器件表面清洗、太陽能電池的生產(chǎn)、激光技術(shù)、氣相絕緣、低溫制冷、泄漏檢驗劑、控制宇宙火箭姿態(tài)、印刷電路生產(chǎn)中的去污劑等方面也大量使用。

四氟化碳是一種造成溫室效應(yīng)的氣體。它非常穩(wěn)定，可以長時間停留在大氣層中，是一種非常強大的溫室氣體。四氟化碳的熱穩(wěn)定性更好。化合物的熱穩(wěn)定性主要與化學(xué)鍵的鍵能及鍵長有關(guān)。零下198 °C時，四氟化碳具有單斜的結(jié)構(gòu)，晶格常數(shù)為a = 8.597，四氟化碳廠家， b= 4.433，四氟化碳多少錢， c = 8.381 (.10-1 nm)， β = 118.73° 。四氟化碳的密度比較高，四氟化碳公司，可以填滿地面空間范圍，四氟化碳，在不通風的地方會導(dǎo)致窒息。四氟化碳成品應(yīng)存放在陰涼，干燥，通風的庫房內(nèi)，嚴禁曝曬，遠離熱源。

四氟化碳的密度比較高，可以填滿地面空間范圍，在不通風的地方會導(dǎo)致窒息。四氟化碳成品應(yīng)存放在陰涼，干燥，通風的庫房內(nèi)，嚴禁曝曬，遠離熱源。四氟化碳是可作為氟和自由基氟化碳的來源，用于各種晶片蝕刻工藝。四氟化碳和氧結(jié)合用以蝕刻多晶硅、二氧化硅和氮化硅。四氟化碳是目前微電子工業(yè)中用量大的等離子蝕刻氣體，其高純氣及四氟化碳高純氣配高純氧氣的混合體，可廣泛應(yīng)用于硅、二氧化硅、氮化硅、磷硅玻璃及鎢薄膜材料的蝕刻。

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