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無源晶體報(bào)價(jià)-無源晶體-晶宇興科技

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發(fā)布時(shí)間:2024-10-13 12:35  
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視頻作者:北京晶宇興科技有限公司






 晶體振蕩器的發(fā)展

1、小型化、薄片化和片式化:為滿足移動(dòng)電話為代表的便攜式產(chǎn)品輕、薄、短小的要求,石英晶體振蕩器的封裝由傳統(tǒng)的裸金屬外殼覆塑料金屬向陶瓷封裝轉(zhuǎn)變。例如TCXO這類器件的體積縮小了30~100倍。采用SMD封裝的TCXO厚度不足2mm,目前5×3mm尺寸的器件已經(jīng)上市。

2、高精度與高穩(wěn)定度,目前無補(bǔ)償式晶體振蕩器總精度也能達(dá)到±25ppm,無源晶體報(bào)價(jià),VCXO的頻率穩(wěn)定度在10~7℃范圍內(nèi)一般可達(dá)±20~100ppm,而OCXO在同一溫度范圍內(nèi)頻率穩(wěn)定度一般為±0.0001~5ppm,VCXO控制在±25ppm以下。

3、低噪聲,無源晶體,高頻化,在GPS通信系統(tǒng)中是不允許頻率顫抖的,相位噪聲是表征振蕩器頻率顫抖的一個(gè)重要參數(shù)。目前OCXO主品的相位噪聲性能有很大改善。除VCXO外,其它類型的晶體振蕩器輸出頻率不超過200MHz。例如用于GSM等移動(dòng)電話的UCV4系列壓控振蕩器,其頻率為650~1700 MHz,電源電壓2.2~3.3V,工作電流8~10mA。

4、低功能,快速啟動(dòng),無源晶體原廠,低電壓工作,低電平驅(qū)動(dòng)和低電流消耗已成為一個(gè)趨勢。電源電壓一般為3.3V。目前許多TCXO和VCXO產(chǎn)品,電流損耗不超過2 mA。石英晶體振蕩器的快速啟動(dòng)技術(shù)也取得突破性進(jìn)展。例如日本精工生產(chǎn)的VG—2320SC型VCXO,在±0.1ppm規(guī)定值范圍條件下,頻率穩(wěn)定時(shí)間小于4ms。日本東京陶瓷公司生產(chǎn)的SMD TCXO,在振蕩啟動(dòng)4ms后則可達(dá)到額定值的90[%]。OAK公司的10~25 MHz的OCXO產(chǎn)品,在預(yù)熱5分鐘后,則能達(dá)到±0.01 ppm的穩(wěn)定度。





石英晶體諧振器的負(fù)載

晶振在振蕩電路中起振時(shí)等效為感性,負(fù)載電容與晶振的等效電感形成諧振,決定振蕩器的振蕩頻率。負(fù)載電容值不同,振蕩器的振蕩頻率也不一樣,改變負(fù)載電容的大小,就可以改變振蕩頻率。因此,通過適度調(diào)整負(fù)載電容,一般可以將振蕩器的振蕩頻率準(zhǔn)確地調(diào)整到標(biāo)準(zhǔn)值。在晶振資料主要參數(shù)中提供的負(fù)載電容是一個(gè)測試條件,也是一個(gè)不容忽視的使用條件,忽略這個(gè)負(fù)載電容參數(shù),無源晶體價(jià)格,會(huì)使振蕩頻率偏離標(biāo)準(zhǔn)值,偏離過大時(shí)會(huì)使振蕩器起振困難造成停振。






石英晶體諧振器的基本工作原理及作用


(1)石英晶體諧振器(簡稱晶振)的結(jié)構(gòu)石英晶體諧振器是利用石英晶體(二氧化矽的結(jié)晶體)的壓電效應(yīng)制成的一種諧振器件,它的基本構(gòu)成大致是:從一塊石英晶體上按一定方位角切下薄片(簡稱為晶片,它可以是正方形、矩形或圓形等),在它的兩個(gè)對應(yīng)面上涂敷銀層作為電極,在每個(gè)電極上各焊一根引線接到管腳上,再加上封裝外殼就構(gòu)成了石英晶體諧振器,簡稱為石英晶體或晶體、晶振。其產(chǎn)品一般用金屬外殼封裝,也有用玻璃殼、陶瓷或塑膠封裝的。

(2)壓電效應(yīng)

若在石英晶體的兩個(gè)電極上加一電場,晶片就會(huì)產(chǎn)生機(jī)械變形。反之,若在晶片的兩側(cè)施加機(jī)械壓力,則在晶片相應(yīng)的方向上將產(chǎn)生電場,這種物理現(xiàn)象稱為壓電效應(yīng)。如果在晶片的兩極上加交變電壓,晶片就會(huì)產(chǎn)生機(jī)械振動(dòng),同時(shí)晶片的機(jī)械振動(dòng)又會(huì)產(chǎn)生交變電場。在一般情況下,晶片機(jī)械振動(dòng)的振幅和交變電場的振幅非常微小,但當(dāng)外加交變電壓的頻率為某一特定值時(shí),振幅明顯加大,比其他頻率下的振幅大得多,這種現(xiàn)象稱為壓電諧振,它與LC回路的諧振現(xiàn)象十分相似。它的諧振頻率與晶片的切割方式、幾何形狀、尺寸等有關(guān)。

(3)符號和等效電路石英晶體諧振器的符號和等效電路如圖所示。當(dāng)晶體不振動(dòng)時(shí),可把它看成一個(gè)平板電容器稱為靜電電容C,它的大小與晶片的幾何尺寸、電極面積有關(guān),一般約幾個(gè)pF到幾十pF。當(dāng)晶體振蕩時(shí),機(jī)械振動(dòng)的慣性可用電感L來等





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